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실리콘 나노 와이어 기반의 무접합 MOSFET의 최적 설계 및 기본적인 고주파 특성 분석
조성재, 김경록, 박병국, 강인만, Cha. Seong-Jae, Kim. Kyung-Rok, Park. Byung-Gook, Rang. In-Man 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 9 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.10 14-22 (9 pages)
형성하져 않으면서도 기존의 NMOSFET의 동작을 온전히 구현할 수 있는 junctionless(JL) MOSFET이 연구중이다. 본 논문에서는 3차원 소자 시뮬레이션을 통하여 silicon nanowire(SNW) 구조에 접목시킨 JL MOSFET을 최적 설계하고 그러한 조건의 소자에 대하여 conductance, maximum oscillation frequency($f_{max}$), current gain cut-off frequency($f_T$) 등의 기본적인 고주파 특성을 분석한다. 채널 길이는 30 nm이며 설계 변수는 채널 도핑 농도와 채널 SNW의 반지름이다. 최적 설계된 JL SNW NMOSFET에 대하여 동작 조건($V_{GS}$... -
Small-Signal Modeling of Gate-All-Around (GAA) Junctionless (JL) MOSFETs for Sub-millimeter Wave Applications
Lee. Jae-Sung, Cho. Seong-Jae, Park. Byung-Gook, Harris. James S. Jr., Kang. In-Man 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 10 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2012, Vol.12 No.2 230-239 (10 pages)
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Analysis of Random Variations and Variation-Robust Advanced Device Structures
Nam. Hyohyun, Lee. Gyo Sub, Lee. Hyunjae, Park. In Jun, Shin. Changhwan 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 15 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.1 8-22 (15 pages)