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- 마이크로전자 및 패키징 학회지(1)
- 전기학회논문지= THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS(1)
- 전기학회지= THE PROCESSING OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS(1)
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A Carbohydrate Fraction, AIP1, from Artemisia Iwayomogi Reduces the Action Potential Duration by Activation of Rapidly Activating Delayed Rectifier K+ Channels in Rabbit Ventricular Myocytes
WonSunPark, YounKyoungSon, EunAKo, SeongWooChoi, NariKim, Tae-HoonChoi, HyunJooYoun, Su-HyunJo, DaHyeHong, JinHan 대한생리학회-대한약리학회 The Korean Journal of Physiology & Pharmacology 7 Pages
대한생리학회-대한약리학회 The Korean Journal of Physiology & Pharmacology 2010, Vol.14 No.3 1 119-125 (7 pages)
the resting membrane potential (IC50 value of APD50: 54.80±2.24, IC50 value of APD90: 57.45±3.47Ռg/ml). Based on the results, all experiments were performed with 50Ռg/ml of AIP1. Pre-treatment with the rapidly activating delayed rectifier K+ current (IKr) inhibitor, E-4031 prolonged APD. However, additional application of AIP1 did not reduce APD. The inhibition of slowly activating delayed rectifier K+ current (IKs) by chromanol 293B did not change the effect of AIP1. AIP1 did... -
파워 클램프용 높은 홀딩전압을 갖는 사이리스터 기반 새로운 구조의 ESD 보호회로
이병석, 김종민, 변중혁, 박원석, 구용서, Lee. Byung-Seok, Kim. Jong-Min, Byeon. Joong-Hyeok, Park. Won-Suk, Koo. Yong-Seo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2013, Vol.17 No.2 208-213 (6 pages)
본 논문에서는 파워클램프용 높은 홀딩 전압을 갖는 사이리스터(SCR: Silicon Controlled Rectifier)구조에 기반한 새로운 구조의 ESD 보호회로를 제안하였다. 제안된 보호회로는 기존의 SCR 구조의 p-well과 n-well에 floating p+, n+를 삽입하여 홀딩 전압을 증가 시켰다. 제안된 보호회로는 높은 홀딩전압 특성으로 높은 래치업 면역성을 갖는다. 본 연구에서 제안된 보호회로의 전기적 특성 및 ESD 감내특성을 확인하기 위해 Synopsys사의 TCAD Tool을 이용하여 시뮬레이션을 수행하였다. 시뮬레이션 결과 제안된 보호회로는 기존 SCR... -
높은 홀딩전압을 갖는 사이리스터 기반 새로운 구조의 ESD 보호소자
원종일, 구용서, Won. Jong-Il, Koo. Yong-Seo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2009, Vol.13 No.1 87-93 (7 pages)
본 논문에서는 높은 홀딩 전압을 갖는 사이리스터(SCR; Silicon Controlled Rectifier)구조에 기반 한 새로운 구조의 ESD(Electro-Static Discharge) 보호 소자를 제안하였다. 홀딩전압은 애노드단을 감싸고 있는 n-well에 p+ 캐소드를 확장시키고, 캐소드단을 n-well로 추가함으로써 홀딩전압을 증가시킬 수 있다. 제안된 소자는 높은 홀딩전압 특성으로 높은 래치업 면역성을 갖는다. 본 연구에서 제안된 소자의 전기적 특성, 온도특성, ESD 감내특성을 확인하기 위하여 TCAD 시뮬레이션 툴을 이용하여 시뮬레이션을 수행하였다.... -
SCR과 적층형 PTC 서미스터의 전기적 특성을 이용한 전기화재 보호제어시스템에 관한 연구
곽동걸, Kwak. Dong-Kurl 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2006, Vol.13 No.1 31-35 (5 pages)
논문에서는 전력용 반도체 스위칭 소자인 SCR(Silicon Controlled Rectifier)과 적층형 PTC 서미스터의 전기적 특성을 이용하여 각종 전기화재 및 전기사고를 예방 보호하는 제어시스템에 대해 연구된다. PTC(Positive Temperature Coefficient) 서미스터는 온도변화에 따른 저항특성이 정(+)온도계수를 갖는 특징이 있다. 이 PTC는 정온도계수를 갖는 $BaTiO_3$계 세라믹스의 정방정계-입방정계 구조를 가지고 상변이점인 큐리(Curie)온도 이상으로 온도가 증가하면 저항이 급격히 증가하는 현상을 보인다. 본 논문에서는 이러한 정저항... -
CPS 이온주입을 통한 NEDSCR 소자의 정전기 보호 성능 개선
양준원, 서용진, Yang. Jun-Won, Seo. Yong-Jin 통신위성우주산업연구회 통신위성우주산업연구회논문지 9 Pages
통신위성우주산업연구회 통신위성우주산업연구회논문지 2013, Vol.8 No.1 45-53 (9 pages)
기존의 NEDSCR 소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩전압과 낮은 온-저항을 가져 정상적인 동작 동안 래치업을 초래하므로 ESD 보호소자로 사용하는데 어려움이 있었다. 본 연구에서는 NEDSCR 소자의 시뮬레이션 및 TLP 테스트를 통해 이러한 단점들을 극복할 수 있는 새로운 방법을 제안하였다. 매우 우수한 ESD 보호 성능과 높은 래치업 면역 특성을 구현하기 위해 N+ 소오스 확산영역을 둘러싸는 P형의 CPS 이온주입공정을 추가함으로써 NEDSCR 소자의 스냅백 홀딩전압과 온 저항을 증가시켜 정전기 보호 성능을 개선시킬 수 있는 것으로... -
N형 실리콘 제어 정류기 소자의 구조 변형을 통한 정전기 보호성능의 향상에 대한 연구
양준원, 서용진, Yang. Jun-Won, Seo. Yong-Jin 통신위성우주산업연구회 통신위성우주산업연구회논문지 6 Pages
통신위성우주산업연구회 통신위성우주산업연구회논문지 2013, Vol.8 No.4 124-129 (6 pages)
PPS 구조가 삽입된 N형 실리콘 제어 정류기 소자를 마이크로 칩의 고전압 I/O 응용을 위해 연구하였다. 종래의 NSCR_PPS_Std 표준소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩 전압을 갖는 전형적인 SCR 특성을 가지고 있어 정상적인 동작 동안 래치업 문제가 나타나는 것으로 보고되고 있다. 그러나 본 연구에서 제안하는 CPS 및 부분적으로 형성된 P-Well(PPW) 구조를 갖는 변형된 NSCR_PPS_CPS_PPW 소자는 높은 래치업 면역과 트리거링 전압의 조절이 용이한 안정한 ESD 보호 성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용... -
자동자식 교류발전기
윤병의 대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 6 Pages
대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 1969, Vol.18 No.3 34-39 (6 pages)
조정작용의 시간적 늦음이 있기때문에 발전기의 전압은 더욱 강하한다. 이 전압강하의 방지책으로 발전기를 필요이상 크게하여 단종비를 크게하고 또 속응여자를 행하고 있다. 그리고 발전기의 부하가 유도전동기이 가능한 것은 소용량에 한하고 거의 모두 감압기동을 하고 있었다. 이 난점을 보상하기 위해 주회로전류에 의한 복권특성을 갖는 자여자교류발전기가 개발되어 왔으며 근래에는 S.C.R (Silicon Controlled Rectifier)의 발달에 따라 자기증폭기식에서 Transistor-Thyristor식으로 변천하고 있다. 여기서는 자여자발전기를...


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