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실리카 광도파로의 Core층인 Silicon Oxynitride후박의 굴절률 제어
김용탁, 조성민, 윤석규, 서용곤, 임영민, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 4 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.6 594-597 (4 pages)
플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 p-type Si(100) 웨이퍼에 Silicon Oxynitride(SiON) 후막을 SiH$_4$ , $N_2$O, $N_2$ 가스를 혼합하여 증착하였다. Prism coupler측정을 통해 SiON 후막의 굴절률 1.4620~1.5312을 얻었으며, rf power가 180 W에서 5.92$mu$m/h의 증착률을 나타내었다. 증착변수에 따른 화학적 조성의 영향은 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) 을 통하여 관찰하였다. 또한, SiON 후막 증착후에 $1.5mu$m 부근의 흡수띠를 제거하기 위해 105$0^{circ}C$의 $N_2$ 분위기에서 2시간 동안 열처리를... -
습식 산화한 LPCVD Silicon Nitride층의 물리적, 전기적 특성
이은구, 박진성, Lee. Eun-Gu, Park. Jin-Seong 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1994, Vol.4 No.6 662-668 (7 pages)
박막의 물리적, 전기적 특성을 기술하였다. $900^{circ}C$에서 산화시간이 증가함에 따라 산화막/질화막의 경우에는 축전용량은 급격히 감소하였으나 절연 파괴전장은 증가하였다. Oxynitrite박막은 축전용량과 절연파괴 전장이 모두 증가하였다. Oxynitride박막의 경우 축전 용량의 증가와 절연 파괴 전장이 증가하였는데 이는 유효 주께 감소와 박막의 양질화에 기인하였다. 또한, 산화 시강의 증가에 따라 Oxynitride박막의 TDDB특성과 초기 불량율도 향상되었다. 결론적으로 Oxynitride박막은 dynamic기억소자의 유전체 박막으로... -
Si(001)에 흡착되는 NO에 대한 제일원리 분자동역학 연구
정석민, Jeong. Sukmin 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2005, Vol.14 No.2 97-102 (6 pages)
제일원리 분자동역학 방법을 이용하여 Si(001) 표면에 NO 분자 흡착을 연구하였다. NO 분자가 Si(001)의 dimer축과 나란히 흡착될 경우에 50K에서도 분해가 일어났다. 이를 에너지 장벽으로 환산해 보면 0.006eV로서 거의 무시해도 좋을 정도이다 만일 NO 분자가 표면에 수직으로 들어오면 이웃에 있는 dimer에 걸쳐서 분해가 일어났다. 이 경우는 에너지 장벽은 0.08eV 정도였으며 여전히 낮은 수준이다. 분해가 된 산소분자는 dimer와 기판 사이의 backbend로 파고들어서 (에너지 장벽 0.007eV) 안정된 구조를 만들었다. 또 dimer에... -
RF sputter에 의한 SiNy막 제작에서의 산소 주입효과
임성환 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1989, Vol.2 No.1 25-32 (8 pages)
Silicon Nitride, Silicon OxyNitride, Silicon Oxide film을 RF Sputter법으로 제작하였다. RF power 1kw에서 산소 공급량과 기관온도에 따라 제작된 막의 조성을 ESCA로 분석하였으며 산소 공급량과 기판온도의 증가에 따라 막에서의 산소함량이 크게 증가하였다. 또한 막의 밀도, 굴절율, 유전율은 산소함량의 증가에 따라 감소하였고 분극율은 Clausius-Mossotti방정식에서 얻을 수 있었다. -
실리콘 산화질화물 기지상 적용에 따른 Au 나노입자 분산 복합체 박막의 광학적 특성
조성훈, 이경석, Cho. Sung-Hun, Lee. Kyeong-Seok 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2009, Vol.19 No.12 637-643 (7 pages)
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PECVD 법에 의해 제작된 저굴절률 차이 평판 SiON광도파로
김용탁, 윤석규, 윤대호, Kim. Yong-Tak, Yoon. Seok-Gyu, Yoon. Dae-Ho 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 4 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2005, Vol.42 No.3 178-181 (4 pages)
Silicon oxynitride (SiON) 막은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)으로 $SiH_4,;N_2O$와 $N_2$ 가스를 사용하여 $SiO_2/Si$ 위해 증착되었다. 증착 변수에 따라서 SiON 막의 굴절률은 prism coupler를 사용하여 1552nm 파장에서 $1.4480~1.4958$까지 변화하였다. 평판 광도파로 코어로 사용되는 SiON 막의 두께는 $6{mu}m$이고, buffer 막과의 굴절률 차이(An)는 $0.36\%$이다. 또한 식각 공정으로 $SiO_2$ 막 위에 증착된 SiON 막은 건식식각을 통해서 수행되었다. 광화이버에 $1.55{mu}m$ 파장의 레이저론 입력단에 조사하였다....