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PECVD에 의한 OLED 소자의 Thin Film Passivation 특성
김관도, 장석희, 김종민, 장상목, Kim. KwanDo, Jang. SeokHee, Kim. JongMin, Chang. SangMok 한국화학공학회 Korean chemical engineering research 8 Pages
한국화학공학회 Korean chemical engineering research 2012, Vol.50 No.3 574-581 (8 pages)
사용될 수 있다. 본 연구에서는 치밀하고 결함이 없는 패시베이션(passivation) 박막을 형성하기 위해서 상온에서 증착이 가능한 PECVD를 이용한 무기 박막 증착 방법을 개발하고 증착 조건과 구조에 따른 OLED의 특성 변화를 분석하였다. 하나의 시스템에서 in-situ로 패시베이션할 수 있는 시스템 및 공정을 구축하였으며 단일 무기 박막의 WVTR(Water Vapor Transmission Rate) 값을 $1{ imes}10^{-2}g/m^2{cdot}day$ 이하로 확보하였고 제작된 박막을 패시베이션막으로 유연한 디스플레이에 적용할 수 있는 가능성을 제시하였다. -
PECVD에 의한 질화 실리콘 박막의 증착
허창우, Hur. Chang-Wu 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2007, Vol.11 No.11 2095-2099 (5 pages)
및 암모니아가스를 사용해서 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 진공 증착장비로 최적의 비정질질화실리콘 박막 증착 조건을 확립한다. 먼저 반응실의 진공도, rf 전력, $SiH_4$ 및 질소 그리고 암모니아가스의 flow rate를 변화시키면서 형성된 박막의 특성을 조사한다. 계속해서 다른 변수를 고정시킨 상태에서 rf 전력을 변화시키고 다음에는 반응실의 진공도 등을 변화시켜 최적의 증착조건을 확립한다. 이렇게 확립된 증착조건을 사용하여 비정질질화실리콘박막을 제작하여 특성을 측정한 결과 우수한 성능을... -
PECVD법에 의해 증착된 Ti-B-C코팅막 내의 보론함량과 증착온도에 따른 미세구조 및 기계적 물성의 변화
옥정태, 송풍근, 김광호, Ok. Jung-Tae, Song. Pung-Keun, Kim. Kwang-Ho 한국표면공학회 한국표면공학회지 6 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2005, Vol.38 No.3 106-111 (6 pages)
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PECVD법에 의한 DLC 박막의 증착
김상호, 김동원 한국표면공학회 한국표면공학회지 7 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2002, Vol.35 No.2 122-128 (7 pages)
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BORIDING OF STEEL WITH PECVD METHOD
Lee. M.J., Lee. K.Y., Lee. J.H., Kim. Y.H. 한국표면공학회 한국표면공학회지 4 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 1999, Vol.32 No.3 249-252 (4 pages)
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PECVD법으로 증착한 Cr코팅층이 Inconel 601과 Ni의 내산화성에 미치는 영향
강옥경, 정명모, 김길무 한국표면공학회 한국표면공학회지 10 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 1995, Vol.28 No.3 142-151 (10 pages)
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PECVD a-$SiN_x$:H 박막(薄膜)의 특성(特性)과 열적안정성(熱的安定性)
송진수, 박주석, Song. Jin-Soo, Park. Joo-Suk 한국태양에너지학회 태양에너지 12 Pages
한국태양에너지학회 태양에너지 1986, Vol.6 No.1 12-23 (12 pages)
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200℃의 저온에서 PECVD 기법으로 성장한 SiNx 박막의 열처리에 따른 광학적 특성 변화 규명
이경수, 김은겸, 손대호, 김정호, 임태경, 안승만, 박경완, Lee. Kyung-Su, Kim. Eun-Kyeom, Son. Dae-Ho, Kim. Jeong-Ho, Yim. Tae-Kyung, An. Seung-Man, Park. Kyoung-Wan 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.1 42-49 (8 pages)
$SiH_4$ 가스의 흐름 비율을 바꾸어 가며 PECVD 기법으로 성장하였다. 시료의 광 특성을 규명하기 위하여 상온 광 발광 스펙트럼을 측정하였다. 성장 시 $SiH_4$ 가스의 흐름 비율이 증가함에 따라 시료의 발광 최대치 파장이 장파장으로 이동하였으나, $SiH_4$ 가스의 흐름 비율과 무관하게 모든 시료에서 1.8, 1.9, 2.2, 2.4, 그리고 3.1 eV 에너지의 발광 현상을 관찰하였다. $N_2$, $H_2$, 그리고 $O_2$ 가스 분위기에서 후열처리를 거친 후, 발광 스펙트럼의 변화를 조사하였다. 열처리 후의 발광 세기는 증가하였고, 특히, $H_2$ 및... -
Very High Frequency Multi Hollow Cathode PECVD 장치의 수치모델링
주정훈, Joo. Jung-Hoon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 331-340 (10 pages)
초고주파 다중 중공 음극 방전을 이용한 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 3차원 수치 모델링하였다. 기본적인 방전 특성을 파악하기 위하여 알곤 플라즈마를 40 MHz, 100 V, 133.3 Pa (1 Torr)의 조건에 대해서 계산하였다. 6 mm 직경의 홀을 20 mm 간격으로 배열하였고 전극 간격은 10 mm를 가정하였다. 피크 플라즈마 밀도는 홀의 하부 중앙에서 $5{ imes}10^{11}#/cm^3$ 였으며 전자 온도는 접지 상태로 가정한 기판과 챔버 벽면 주위에서 가장 높았다. 준안정 상태에 의한 2단 이온화 속도는 전자 충돌에 의한 직접 이온화보다 10배... -
Pin-to-plate Type 대기압 PECVD 방법을 이용해 성장된 다중벽 탄소나노튜브의 전계방출 특성연구
박재범, 경세진, 염근영, Park. Jae-Beom, Kyung. Se-Jin, Yeom. Geun-Young 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.4 374-379 (6 pages)
본 연구에서는 전계 방출소자로 사용하기 위한 탄소나노튜브의 합성 방법으로, pin to plate type의 대기압 플라즈마 소스를 사용한 AP-PECVD(Atmosphere pressure plasma enhanced chemical vapor deposition)를 이용하였으며, 이를 통하여 대기압에서 성장된 탄소나노튜브의 구조적 및 전기적 특성을 연구하였다. 유리 / 크롬 / 니켈을 기판으로 사용하여 $400{sim}500^{circ}C$ 변화 영역에서 탄소나노튜브를 성장시킨 결과 다중벽 탄소나노튜브가 얻어짐을 알 수 있었다. $500^{circ}C$에서 성장시킨 탄소나노튜브의 경우 FT-Raman을... -
PECVD에 의해 작성된 탄소계 박막의 전계전자방출특성에 대한 증착온도 의존성에 관한 연구
류정탁, 백양규, 이형주 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2003, Vol.12 No.1 35-39 (5 pages)
메탄가스만을 사용하여 RF PECVD 방법으로 성장시킨 a-C 박막의 전계전자방출특성을 조사하였다. 또한 본 논문은 박막의 표면형태와 결정들의 결합구조가 어떻게 전계전자방출에 영향을 미치는가에 관하여 보고된다, a-C 박막의 전계전자방출특성은 증착온도에 크게 의존함이 확인되었다. 실온에서 성장된 카본박막의 문턱전압은 20 V/$mu extrm{m}$이었다. 그러나 증착온도가 $500^{circ}C$로부터 $600^{circ}C$로 증가함에 따라 문턱전압은 17 V/$mu extrm{m}$에서 10 V/$mu extrm{m}$으로 감소하였으며 $800^{circ}C$에서는 문턱전압이... -
HMDSO와 산소를 이용한 PECVD 증착 $SiO_xC_y$필름의 특성연구
김성룡, 이호영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.2 182-188 (7 pages)
폴리카보네이트 시트의 내마모성을 향상시키기 위하여 HMDSO 모노머와 산소를 사용하여 플라즈마 기상증착시킨 $SiO_xC_y$ 필름의 특성을 분석하였다. RF출력, 산소투입량, 수소투입량을 변화시키면서 각 증착조건에 따른 생성된 필름의 화학결합구조, 원소조성, 표면조도, 헤이즈 특성에 미치는 영향을 FTIR, XPS, AFM, Hazemeter를 이용하여 알아보았다. HMDSO와 산소를 사용한 박막의 증착은 100 nm/min이상의 높은 증착속도를 가졌고,증착실험에서 얻은 증착필름의 원소조성을 XPS를 이용하여 구한 결과, 종전의 다른 유기실리콘계... -
PECVD에 의한 DLC 박막의 성장과 그 특성 조사
조재원, 김태환, 김대욱, 최성수 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.3 248-254 (7 pages)
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 비정질 고 상 탄소 박막의 하나인 유사 다이아몬드(Diamond-Like-Carbon; DLC) 박막을 증착하였다. FT-IR Spectroscopy와 Raman Scattering 등을 통해 박막의 구조적 특징을 조사하였는데, 박막은 microcrystalline diamond domain과 graphitelike carbon domain들이 수소화된 $sp^3$사 면체 구조의 비정질 탄소에 의해 그물 구조로 연결되어진 것으로 보인다. 이러한 추정은 I-V 특성 조사의 결과와도 좋은 일치를 보이는데, 특히 I-V조사에서는 전류의... -
$Si_3N_4$상에 PECVD법으로 형성한 텅스텐 박막의 특성
이찬용, 배성찬, 최시영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.2 141-149 (9 pages)
$Si_3N_4$상에 PECVD법으로 W박막을 증착하였다. 기판온도와 소스가스의 유량비가 텅 스텐 박막에 미치는 영향을 조사하였다. $150^{circ}C$~$250^{circ}C$의 온도 범위 내에서 텅스텐 박막의 증착은 표면반응에 의하여 제한 되었으며, 기판온도와 $SiH_4/WF_6$ 유량비 변화에 따라 150~ 530$AA$/min의 증착률과 스트레스에 영향을 주었고, 특히 과도한 Si3N4가스는 W박막의 구조, 화학적 결합, 스트레스등을 급격히 변화시켰다. TiN, Ti, Mo, NiCr, Al 등 여러 가지 부착층 상의 텅스텐 박막을 증착시킨 결과, Al이 가장 좋은... -
PECVD로 증착된 a-Si박막의 고상결정화에 있어서 기판 온도 및 수소희석의 효과
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.1 29-34 (6 pages)
PECVD방법으로 증착된 비정질 실리콘(a-Si)박막이 고상결정화되고 x-선 회절 (XRD)방법으로 조사되었다. a-Si박막들은 기판 온도 120-$380^{circ}C$사이에서 Si(100)웨이퍼 위에 $SiH_4$가스 혹은 수소희석된 $SiH_4$가스로 증착되고, $600^{circ}C$로 가열되어 결정화되었다. 고상화 되었을 때(111), (220), (311)XRD피크들이 나타났고 (111) 우선방위가 두드러졌다. 고상결정 화된 다결정 실리콘(poly-Si)박막들의 XRD피크의 세기는 기판온도가 낮아짐에 따라 증가되 었고, 수소희석은 고상화 효과를 감소시켰다. XRD로... -
Remote PECVD로 저온성장된 $SiO_2$/InSb의 전기적 특성
이재곤, 박상준, 최시영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1996, Vol.5 No.3 223-228 (6 pages)
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PECVD 에 의한 다이아몬드성 탄소박막의 증착기구에 관한 연구
김한, 주승기 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.4 420-425 (6 pages)
메탄을 원료가스로 하여 PECVD에 의해 다이아몬드성 탄소(DLC) 박막을 형성하였으며 이때 인 가전력의 크기 및 주파수 그리고 보조가스의 종류가 optical band gap의 크기에 미치는 영향에 대학여 연구하였다. DLC 박막의 optical band gap 은 증착되는 이온의 에너지가 증가할수록 감하였으며 불활성 기체를 보조가스로 사용하는 경우 인가전력에 따른 optical band gap의 크기가 큰폭으로 감소하였다. 소 소를 보조가스로 사용한 경우는 높은 인가전력(100W 이상)에서 optical band gap이 증가하는 것으로 밝 혀졌으며 본 연구에서... -
입체표면 폴리실리콘 전극에서 PECVD $Ta_2O_5$ 유전박막의 전기적 특성
조영범, 이경우, 천희곤, 조동율, 김선우, 김형준, 구경완, 김동원, Cho. Yong-Beom, Lee. Kyung-Woo, Chun. Hui-Gon, Cho. Tong-Yul, Kim. Sun-Oo, Kim. Hyeong-Joon, Koo. Kyun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.2 246-254 (9 pages)
DRAM 커패시터에서 축정용량을 증대시키기 위한 기초연구로서 2가지 방법을 시도하였다. 첫째로, 커패시터의 유효 표면적을 증대시키기 위해 HSG(hemispherical grain)와 rugged 형태의 표면형상을 갖는 폴리실리콘 전극을 저압 화학기상증착법을 이용하여 제잘하였다. 그 결과 기존의 평평한 폴리실리콘 전극에 비하여 유효면적이 증대된 폴리실리콘 전극이 형성되었다. 둘째로, 고유 전상수를 갖는 $Ta_2O_5$ 박막을 각각의 전극에 플라즈마 화학기상증착법으로 증착시키고 후열처리한 후 전기적 특성변화를 조사하였다.... -
PECVD법으로 구리 막 위에 증착된 실리콘 박막의 이차전지 음전극으로서의 전기화학적 특성
심흥택, 전법주, 변동진, 이중기, Shim. Heung-Taek, Jeon. Bup-Ju, Byun. Dongjin, Lee. Joong Kee 한국전기화학회 전기화학회지 6 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2004, Vol.7 No.4 173-178 (6 pages)
플라즈마 화학 기상 증착법으로 구리 막$(foil,;35{mu}m)$표면 위에 $SiH_4$와 Ar혼합가스를 공급하여 실리콘 박막을 증착 한 후 리튬 이온전지의 음극으로 활용하였다. 증착 온도에 따라 비정질 실리콘 박막과 copper silicide박막 형태의 다른 두 종류의 실리콘 박막 구조가 형성되는 것이 관찰되었다. $200^{circ}C$ 이하의 온도에서는 비정질 실리콘 박막이 증착되었고, $400^{circ}C$ 이상의 온도에서는 실리콘 라디칼과 확산된 구리 이온의 반응에 의한 그래뉼러 형태의 copper silicide박막이 형성되었다. 비정질 실리콘 박막은... -
플라즈마 진단에 의한 PECVD SiO2 증착의 불균일성 원인 연구
함용현, 권광호, 이현우, Ham. Yong-Hyun, Kwon. Kwang-Ho, Lee. Hyun-Woo 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2011, Vol.24 No.2 89-94 (6 pages)
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PECVD로 합성한 다이아몬드상 카본박막의 전기적 특성
최원석, 박문기, 홍병유, Choi. Won-Seok, Park. Mun-Gi, Hong. Byung-You 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 4 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2008, Vol.21 No.11 973-976 (4 pages)
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PECVD법에 의해 제조된 SnO2 박막의 공정변수에 따른 미세구조 및 특성
이정훈, 장건익, 손상희, Lee. Jeong-Hoon, Jang. Gun-Eik, Son. Sang-Hee 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2006, Vol.19 No.7 680-686 (7 pages)
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PECVD로 증착된 금속층을 포함하는 DLC 박막의 기계적 특성 분석
전영숙, 최원석, 홍병유, Jeon. Young-Sook, Choi. Won-Seok, Hong. Byung-You 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2006, Vol.19 No.7 631-635 (5 pages)
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PECVD SiNx 박막의 다결정 실리콘 태양전지에 미치는 영향
김정, Kim. Jeong 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2005, Vol.18 No.7 662-666 (5 pages)
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$N_2O$가스를 사용하여 PECVD로 성장된 Oxynitride막의 특성
최현식, 이철인, 장의구 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 9 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1996, Vol.9 No.1 9-17 (9 pages)
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PECVD Chamber Cleaning End Point Detection (EPD) Using Optical Emission Spectroscopy Data
Lee. Ho Jae, Seo. Dongsun, Hong. Sang Jeen, May. Gary S. 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.5 254-257 (4 pages)
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Investigation of the Alignment Phenomena on the a-C:H Thin Films by PECVD System using Ion-beam Alignment Method
Park. Chang-Joon, Hwang. Jeoung-Yeon, Seo. Dae-Shik, Ahn. Han-Jin, Kim. Kyung-Chan, Baik. Hong-Koo 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2004, Vol.5 No.1 15-18 (4 pages)
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PECVD를 이용한 금속 스탬프용 점착방지막 형성과 특성 평가
차남구, 박창화, 조민수, 김규채, 박진구, 정준호, 이응숙, Cha. Nam-Goo, Park. Chang-Hwa, Cho. Min-Soo, Kim. Kyu-Chae, Park. Jin-Goo, Jeong. Jun-Ho, Lee. Eung-Sug 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2006, Vol.16 No.4 225-230 (6 pages)
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PECVD로 제조된 비정질 질화탄소 박막의 물성에 미치는 열처리 효과
문형모, 김상섭, Moon. Hyung-Mo, Kim. Sang-Sub 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.5 303-308 (6 pages)
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PECVD로 제조된 비정질 질화탄소 박막의 특성에 미치는 증착변수의 영향
문형모, 김상섭, Moon. Hyung-Mo, Kim. Sang-Sub 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.3 150-154 (5 pages)
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Mesh-type PECVD를 이용한 DC-bias인가 및 수소가스 첨가에 따른 저수소화 비정질 실리콘 박막에 관한 연구
류세원, 권도현, 박성계, 남승의, 김형준, Ryu. Se-Won, Gwon. Do-Hyeon, Park. Seong-Gye, Nam. Seung-Ui, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2002, Vol.12 No.4 235-239 (5 pages)
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rf PECVD법으로 증착된 DLC film의 광학적 성질
김문협, 송재진, 김성진, Kim. Moon-Hyup, Song. Jae-Jin, Kim. Seong-Jin 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.7 550-555 (6 pages)
rf PECVB법을 이용하여 붕규산 유리 기판 위에 diamond like carbon(DLC) 박막을 증착하였다. 메탄(CH$_4$)-수소(H$_2$) 혼합 가스를 전구체 가스로 사용하였다. DLC 박막의 형상, 구조 및 광학적 특성은 SEM, 라만 및 UV 스펙트럼으로 분석하였다. 증착 속도는 혼합 가스의 수소 농도에 따라 증가하다가, 혼합 가스 유량이 25 sccm 이상에서는 일정하게 되었다. UV스펙트럼으로 계산한 박막의 optical band gap은 증착 시간과 DC serf bias의 증가에 따라 감소하는 경향을 나타냈으나, 수소함량에 의해서는 거의 영향이 없었다. 박막의... -
Pulsed ECR PECVD를 이용한 $SiO_x$ 박막의 성장 및 특성분석
이주현, 정일채, 채상훈, 서영준, 이영백, Lee. Ju-Hyeon, Jeong. Il-Chae, Chae. Sang-Hun, Seo. Yeong-Jun, Lee. Yeong-Baek 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.3 212-217 (6 pages)
일반적으로 TFT(thin film transistor)의 유전체막으로 실리콘 질화막($Si_3$$N_4$)이나 실리콘 산화막(SiO$_2$)을 $200-300^{circ}C$의 온도에서 증착을 하게 되는데 본 연구에서는 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성 특히 계면의 거칠기를 향상시키기 위해서 기존의 증착법이 아니라 비정질 실리콘(a-Si:H)과 산소 ECR 플라즈마의 반응에 의한 산화 막의 성장법을 시도했는데, 이때 기판은 의도적으로 가열하지 않았으며 특히 본 연구에서는 기존의 시도와는 달리 ECR 플라즈마를 형성할 때 마이크로파 전력에 pulse를 가하는... -
AFM을 이용한 PECVD에 의해 증착된 Sb-doped $SnO_2$ 박막의 표면형상에 관한 연구
윤석영, 김근수, 이원재, 김광호, Yun. Seok-Yeong, Kim. Geun-Su, Lee. Won-Jae, Kim. Gwang-Ho 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.8 525-531 (7 pages)
Corning glass 1737 기판에 안티몬 도핑 산화주석 박막을 증착하였다. 플라즈만 화학증착시 반응변수에 따른 박막의 결정상 및 형성된 표면거칠기에 대하여 XRD와 AFM을 이용하여 검토하였다. 반응온도 $450^{circ}C$, 유입가스비 R[$P_{SbCl}P_{{SnCl}_4}$]=1.12, r.f. power 30W에서 비교적 결정성이 뛰어난 박막을 얻을 수 있었다. 화학증착법(TCVD)에 비해 플라즈마 열화학증착법(PECVD)으로 얻은 박막의 표현형상이 보다 균일하였다. 안티몬 도핑농도가 증가할수록, 증착온고가 낮을수록, 증착두께가 작을수록 박막의 표면거칠기가... -
PECVD에 의한 YSZ(Yttria Stabilized Zirconia)박막 제조
김기동, 신동근, 조영아, 전진석, 최동수, 박종진, Kim. Gi-Dong, Sin. Dong-Geun, Jo. Yeong-A, Jeon. Jin-Seok, Choe. Dong-Su, Park. Jong-Jin 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.3 234-239 (6 pages)
PECVD(Plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 yttria-stabilized zirconia(YSZ) 박막을 제조하였다. 반응물질로 금속유기화합물을 $Zr[TMHD]_4$와 $Y[TMHD]_3$그리고 산소를 사용하였으며, 증착온도는 $425^{circ}C$, rf power는 0~100W까지 적용하였다. YSZ 박막은 (200)면이 기판에 평행한 입벙정상 구조를 가졌으며, 1시간 내에 $1mu extrm{m}$ 두께를 형성하였다. EDX에 의한 막의 성분분석 결과로부터 환산된 박막내의 $Y_2O_3$의 함량은 0-36%의 범위였다. 버블러의 온도 및 운반기체의 유량이 증가함에 따라... -
rf PECVD법으로 증착된 a-C:H 박막의 결합구조에 미치는 보조가스의 영향
송재진, 김성진, Song. Jae-Jin, Kim. Seong-Jin 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.11 1088-1094 (7 pages)
rf PECVD(13.56MHz)법을 이용하여 $CH_4$가스에 소량의 보조가스($O_2$와 $N_2$)를 혼합하여 a-C:H 박막을 얻었다. 이렇게 얻어진 박막의 증착속도는 rf power 증가에 따라서 증가하다가 200W에서는 다시 감소하였으며, 산소와 질소가스의 유량이 증가함에 따라 감소하였다. FT-IR분석으로 계산된 박막내의 수소함량은 rf power 증가와 산소 및 질소첨가량의 증가에 따라 감소하였다. 산소가스 첨가 시에는 C=O 결합이 생성되며, 질소가스 첨가 시에는 C=N 결합이 생성됨을 FT-IR 분석을 통하여 알 수 있었다. 이와 같이 산소와 질소를... -
PECVD법으로 제조된 DLC박막의 기판에 따른 접착력에 관한 연구
최원규, 최운, 김형준, 남승의, Choe. Won-Gyu, Choe. Un, Kim. Hyeong-Jun, Nam. Seung-Ui 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.7 582-586 (5 pages)
본 연구에서는 플라즈마 화학 증착법으로 기판에 따른 DLC 박막의 접착력 변화를 조사하였다. 박막의 분리가 발생하기 시작하는 경우의 두께를 임계두께로 정하여 스크래치 테스터로 측정된 임계하중과 더불어 박막의 잡착강도값으로 사용하였다. 다이아몬드상 탄소박막은 실리콘 기판에서 가장 우수한 접착력을 가지는 것으로 나타났으며, 크롬>티타늄>철>세라믹 기판의 순으로 접착력이 감소하였다. XPS, AES 분석을 사용하여 계면에서 결합구조와 결합형태 등을 관찰하여 접착력과의 관계를 조사하였다. 그 결과 다이아몬드상... -
ECR PECVD법으로 증착된 lead titanate박막의 조성과 미세구조에 대한 증착변수의 영향
정수옥, 정성웅, 이원종, Chung. Su-Ock, Chung. Seong-Ung, Lee. Won-Jong 한국재료학회 한국재료학회지 9 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.2 93-101 (9 pages)
사이크로트론 공명플라즈마 화학증착법(ECR PECVD)으로 증착하였다. 증착온도, 산소유입량, MO source유입비등의 증착변수에 따른 lead titanate박막의 조성과 미세구조를 주사전자현미경(SEM), 투과전자현미경(TEM), X선 회절법(XRD)으로 조사하였다. 산소유입량이 적을 경우,Tisource와 Pb source의 산소화의 반응성 차이 때문에 Pb 농도가 부족한 화학양론비가 잘 맞는 박막이 증착되었다. Pt/ti기판은 lead titanate박막증착도중 기판의 Ti층과 Pt층의 확산으로 기판변형이 발생하는 반면, Pt/Ta기판은 기판변형이 일어나지 않았다.... -
RF PECVD로 증착된 다이아몬드상 탄소막의 보조가스 첨가의 영향
최운, 김형준, 남승의, Choe. Un, Kim. Hyeong-Jun, Nam. Seung-Ui 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.1 8-14 (7 pages)
rf PECVD 법에 의해 합성된 다이아몬드상 탄소막을 보조가스 첨가에 따른 영향에 대하여 조사하였다. 수소가스를 첨가하여 합성된 DLC막의 잔류응력 거동은 낮은 이온 에너지 (V$_{b}$ $P^{1}$2/-20Volt/m Torr)에서 최대 잔류응력이 발생되지만, 질소 가스를 첨가시키면 높은 이온(V$_{b}$ P$_{1}$2/->70Volt/m Torr)에너지 영역에서 잔류응력의 감소가 나타났다. 수소 량이 증가하면 ion bombardment와 식각 작용을 하고, 질소의 경우 막의 표면 스퍼터링 현상이 발생되었다. 보조가스 첨가에 따라 S$P^{3}$net work구조의 생성과... -
RF PECVD로 증착된 다이아몬드상 탄소막의 잔류응력에 관한 연구
최운, 남승의, 김형준, Choe. Un, Nam. Seung-Ui, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.12 1162-1169 (8 pages)
rf 플라즈마 화학증착을 이용하여 증착된 hydrogenated DLC막의 잔류응력 거동에 대해 조사하였다. 합성된 DLC막의 압축 잔류응력은 이온 에너지뿐만 아니라 이온/원자 유입량 비에 의해 영향을 받는 것으로 조사되었다. 잔류응력의 최대치는 이온/원자 유입량비가 증가할수록 낮은 이온 에너지 구간에서 일어나며 그 값은 증가하였다. 이온 에너지에 따른 DLC막의 결합 구조의 변형을 Raman 스펙트럼을 이용하여 분석하였다. DLC막의 잔류응력은 sp3결합의 net working이 최대가 되는 점에서 최대치를 보이며, 이는 sp3 net working에... -
$CH_4-CO_2$혼합가스로부터 PECVD법에 의한 DLC 박막 증착에 관한 연구
진억용, Jin. Eok-Yong 한국재료학회 한국재료학회지 9 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1996, Vol.6 No.3 324-332 (9 pages)
RF 플라즈마 화학증착법(PECVD)을 이용하여 CH4와 CO2기체로부터 합성하였다. 증착압력, CH4와 CO2가스의 조성비, 바이어스 전압(-VB) 등의 증착조건 변화에 따른 증착속도는 증착층의 두께를 알파스텝으로 측정하여 결정하였으며, 박막의 구조 변화에 따른 증착속도는 증착층의 두께를 알파스텝으로 측정하여 결정하였으며, 박막의 구조 변화는 FTIR 분광분석을 이용하여 분석을 행하였다. 이 연구로부터 얻은 실험 결과는 다음과 같다: 1) 증착속도는 증착압력 및 바이어스 전압의 증가에 따라 증가한다. 2)바이어스 전압 300V이상에서,... -
RF PECVD법에 의해 증착된 TiN 박막의 조성, 구조 및 전기적 특성
전병혁, 김종석, 이원종, Jeon. Byeong-Hyeok, Kim. Jong-Seok, Lee. Won-Jong 한국재료학회 한국재료학회지 8 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.5 552-559 (8 pages)
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PECVD법으로 증착된 $Ta_2O_5$박막의 누설전류에 미치는 RTA의 영향
김진범, 이승호, 소명기, Kim. Jin-Beom, Lee. Seung-Ho, So. Myeong-Gi 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1994, Vol.4 No.5 550-555 (6 pages)
본 연구에서는 반응기체 $PaCl_5$ (99.99%)와 $N_2O$(99.99%)를 사용하여 PECVD법으로 P-type(100) Si기판위에 $Ta_2O_5$ 박막을 증착시킨후 RTA 후처리를 통하여 누설전류를 개선시키고자 하였다. 실험결과, 증착온도 증가에 따라 굴절율은 일정하게 증가하였고 $500^{circ}C$에서 최대 증착속도를 보였다. 증착된 $Ta_2O_5$막의 FT-IR 분석결과 증착온도 증가에 따라 Ta-O bond peak intensity가 증가함을 알 수 있었으며, 누설전류 특정결과 증착온도가 증가함에 따라 누설전류값이 감소함을 알 수 있었다. 또한 증착된 $Ta_2O_5$막을... -
저주파수(450 KHz) PECVD에 의한 Diamondlike Carbon박막의 특성
김한주, 주승기, Kim. Han-Ju, Ju. Seung-Gi 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1994, Vol.4 No.2 227-232 (6 pages)
450KHz 저주파수로 플라즈마 화학증착법을 이용하여 Diamondlike carbon박막을 제작하고 optical band gap, 미소경도, 내부응력 등의 물성에 대하여 13.56MHz의 전원을 사용했을 때보다 optical band gap이 감소하였으며 FT-IR및 CHN분석결과 박막 내의 C-H결합농도와 총 수소의 함량이 크게 감소하는 것으로 밝혀졌다. 또한 저주파수로 DLC 박막을 형성하는 경우 미소경도의 희생없이 내부응력을 크게 줄일 수 있어 기판과의 접착성이 향상될 것으로 기대되었다. -
PECVD를 이용한 ZnO박막 증착시 증착 변수가 증착속도 및 결정 구조에 미치는 영향
김영진, 김형준, Kim. Yeong-Jin, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1994, Vol.4 No.1 90-96 (7 pages)
플라즈마 CVD(PECVFD)장치로 금속유기물인 Diethylzinc와 $N_{2}O$를 합성하여 $300^{circ}C$이하의 낮은 기판 온도에서 ZnO 박막을 증착하여, 증착변수가 박막의 증착속도 및 결정구조에 미치는 영향을 알아 보았다. 기판 온도 $150^{circ}C$에서부터 이미 결정화된 ZnO 박막의 증착이 가능했으며, $200^{circ}C$이상에서 X-ray rocking curve분석결과, 표준편차값($delta$)이 6˚ 미만의 c축 배향성이 뛰어난 ZnO박막이 유리 기판위에 증착되었다. 기판온도오 인가된 rf전력에 의한 증착속도의 변화 양상은 매우 다양하였으며, 특히...