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고균일 Al 박막 증착을 위한 magnetron sputtering system 개발
이재희, 황도원, Lee. J.H., Hwang. D.W. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.2 165-169 (5 pages)
반도체 소자공정에서 균일한 두께의 금속박막을 증착하는 것은 매우 중요하다. 기존의 기판고정식 sputtering 장비로 증착한 indium tin oxide(ITO)박막의 두께 균일도가 $pm4%simpm5%$ 정도로 중앙부분이 더 두껍다. 방전전극 구조물을 설계하고 제작하여 sputtering되는 물질의 방향을 조절하였다. 개량된 sputtering gun을 사용하여 기판고정식 sputtering 장비에서 4" wafer 내에서 $pm0.8sim1.3%$ 정도로 두께 균일도를 증가시켰다. wafer to wafer에서는 $pm$5.3%에서 $pm$1.5%로 두께 균일도가 향상되었다. Al박막의 경우... -
스퍼터링 증착 조건에 따른 금속 박막의 습식 식각율
허창우, Hur. Chang-Wu 한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 4 Pages
한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2010, Vol.14 No.6 1465-1468 (4 pages)
기판표면에서 화학반응을 일으켜 표면을 식각하는 과정이다. 습식 식각 시 수${mu}m$의 해상도를 얻기 위해서는 그 부식액의 조성이나, 에칭시간, 부식액의 온도 등을 고려하여야 한다. 본 실험에서 사용한 금속은 Cr, Al, ITO 로 모두 DC sputter 방법을 사용해서 증착하여 사용하였다. Cr박막은 $1300{AA}$ 정도의 두께를 사용하였고, ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 가시광 영역에서 투명하고 (80% 이상의 transmittance), 저저항 (Sheet Resistance : $50;{Omega}/sq$ 이하) 인 박막을 사용하였으며, 신호선으로 주로 사용되는 Al등의... -
ITO 박막의 DC 마그네트론 스퍼터링 진공 증착
허창우, Hur. Chang-Wu 한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 4 Pages
한국정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2010, Vol.14 No.4 935-938 (4 pages)
도전막(ITO: Indium Tin Oxide)을 제작하고 제작된 ITO 박막의 광 및 전기 그리고 물성적 특성을 조사하여 최상의 공정 조건을 확립하였다. 본 실험에서는 $In_2O_3:SnO_2$ 의 조성비는 90:10 wt% 인 타겟의 특성이 우수하였고, Ar:$O_2$의 분압비는 100:1 및 42:8의 조건이 적당하였으며, 온도는 $200^{circ}C$ 가장 우수한 특성을 얻을 수 있었다. 본 연구에서 제작한 박막은 광 투과도가 90% 이상, 비저항이 $300;{mu}{Omega}cm$ 이하의 특성을 갖게되어 이미지센서, 태양전지, 액정 텔레비젼등 빛의 통과와 전도성등 두가지 특성에... -
Low Temperature Deposition of the $In_2O_3-SnO_2$, $SnO_2$ and $SiO_2$ on the Plastic Substrate by DC Magnetron Sputtering
Kim. Jin-Yeol, Kim. Eung-Ryeol, Lee. Jae-Ho, Kim. Soon-Sik 한국정보디스플레이학회 Journal of information display 5 Pages
한국정보디스플레이학회 Journal of information display 2001, Vol.2 No.1 38-42 (5 pages)
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Development of Defect Inspection System for PDP ITO Patterned Glass
Song. Jun-Yeob, Park. Hwa-Young, Kim. Hyun-Jong, Jung. Yeon-Wook 한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 6 Pages
한국정밀공학회 International journal of precision engineering and manufacturing 2006, Vol.7 No.3 18-23 (6 pages)
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전기화학적 석출을 통해 ITO 표면에 형성한 덴드라이트 백금 구조의 전기화학적 촉매 활성
최수희, 최강희, 김종원, Choi. Suhee, Choi. Kang-Hee, Kim. Jongwon 한국전기화학회 전기화학회지 7 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2014, Vol.17 No.4 209-215 (7 pages)
방법을 이용하여 indium tin oxide 표면에 백금 나노구조를 형성하고 총 석출전하량을 조절하여 형성되는 나노구조의 변화에 따른 전기화학적 메탄올 산화 반응과 산소 환원반응에 대한 촉매 활성의 변화를 관찰하였다. 석출 전하량의 변화에 따라 생성되는 백금 나노구조체 표면의 특성을 주사 전자 현미경, 전기화학적 표면적 측정, X-선 회절법, 일산화탄소 벗김분석을 통해 규명하고 전기화학적 촉매 활성과의 연계성을 조사하였다. 전기화학적 촉매 활성은 형성된 백금 나노구조에 따라 달라지는데, 석출 전하량 $0.45C;cm^{-2}$에... -
표면코팅을 통한 LiMn2O4 양극의 고온성능 개선
이길원, 이종화, 류지헌, 오승모, Lee. Gil-Won, Lee. Jong-Hwa, Ryu. Ji-Heon, Oh. Seung-M. 한국전기화학회 전기화학회지 7 Pages
한국전기화학회 전기화학회지 2009, Vol.12 No.1 81-87 (7 pages)
리튬 이차전지의 양극 활물질인 스피넬 망간산화물(${LiMn_2}{O_4}$, LMO) 표면에 ITO(indium tin oxide)를 코팅하여, 고온($55^{circ}C$)에서 사이클 수명과 속도특성을 조사하였다. 정전류 정전압 충방전 실험의 결과, ITO가 코팅되지 않은 LMO 전극의 표면에서 고온 고전압 조건에서 전해질이 분해하여 피막이 형성되고, 이 피막의 저항으로 인하여 분극현상(polarization)이 심하게 발생하였다. 그러나, ITO가 2 mol% 이상 코팅된 LMO의 경우 양극 활물질과 전해질과의 직접적인 접촉 면적이 줄어들어, 전해질의 분해가 감소하였고... -
ITO 투과율 향상을 위한 Buffer층 설계에 관한 연구
기현철, 이정빈, 김상기, 홍경진, Ki. Hyun-Chul, Lee. Jeong-Bin, Kim. Sang-Ki, Hong. Kyung-Jin 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2010, Vol.23 No.1 24-28 (5 pages)
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고효율의 용액공정용 유기 발광 다이오드 제작을 위한 ITO 전처리 연구
최은영, 서지현, 최학범, 제종태, 김영관, Choi. Eun-Young, Seo. Ji-Hyun, Choi. Hak-Bum, Je. Jong-Tae, Kim. Young-Kwan 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2010, Vol.23 No.1 18-23 (6 pages)