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Low Temperature Deposition of the $In_2O_3-SnO_2$, $SnO_2$ and $SiO_2$ on the Plastic Substrate by DC Magnetron Sputtering
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  • Low Temperature Deposition of the $In_2O_3-SnO_2$, $SnO_2$ and $SiO_2$ on the Plastic Substrate by DC Magnetron Sputtering
저자명
Kim. Jin-Yeol,Kim. Eung-Ryeol,Lee. Jae-Ho,Kim. Soon-Sik
간행물명
Journal of information display
권/호정보
2001년|2권 1호|pp.38-42 (5 pages)
발행정보
한국정보디스플레이학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Thin films of $In_2O_3-SnO_2$(ITO), $SnO_2$, and $SiO_2$ were prepared on the PET substrate by DC magnetron roll sputtering. 135 nm thick ITO film on $SiO_2$/PET substrate has sheet resistance as low as 55 ${Omega}/square$ and transmittance as high as 85%. $H_2O$gas permeation through the film was 0.35 g/$m^2$ in a day. These properties are enough on optical film for the plastic LCD substrate or touch panel. Both refractive index and sheet resistance of ITO was found to be very sensitive to $O_2$ flow rate. Oxygen flow conditions have been optimized from 4 to 5 SCCM at $10^{-3}$torr. It is also shown that both thickness of $SnO_2$ and refractive index of $SiO_2$ decrease as $O_2$ flow rate increases.