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Device Characteristics and Hot Carrier Lifetime Characteristics Shift Analysis by Carbon Implant used for Vth Adjustment
Mun. Seong-Yeol, Kang. Seong-Jun, Joung. Yang-Hee 한국정보통신학회 Journal of information and communication convergence engineering 5 Pages
한국정보통신학회 Journal of information and communication convergence engineering 2013, Vol.11 No.4 288-292 (5 pages)
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p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 5-TFT OLED 화소회로
정훈주, Chung. Hoon-Ju 한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 6 Pages
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 2014, Vol.9 No.3 279-284 (6 pages)
본 논문에서는 p-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 5-TFT OLED 화소회로는 4개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. 제안한 화소회로의 한 프레임은 초기화 구간, 문턱전압 감지 및 데이터 기입 구간, 데이터 유지 구간 및 발광 구간으로 나누어진다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${pm}0.25V$ 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 -4.06%이였고 구동... -
n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동 보상을 위한 전압 기입 AMOLED 화소회로
정훈주, Chung. Hoon-Ju 한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 6 Pages
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 2013, Vol.8 No.2 207-212 (6 pages)
본 논문에서는 n-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 6T1C 화소회로는 5개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${pm}0.33$ V 변동시 최대 OLED 전류의 오차율은 7.05 %이고 Vdata = 5.75 V에서 OLED 양극 전압 오차율은 0.07 %로 제안한 6T1C 화소회로가 구동 트랜지스터의 문턱전압 변동에도 균일한 OLED 전류를... -
IC 보호회로를 갖는 저면적 Dual mode DC-DC Buck Converter
이주영, Lee. Joo-Young 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2014, Vol.18 No.4 586-592 (7 pages)
본 논문에서는 DT-CMOS(Dynamic Threshold voltage Complementary MOSFET) 스위칭 소자를 사용한 DC-DC Buck 컨버터를 제안하였다. 높은 효율을 얻기 위하여 PWM 제어방식을 사용하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DT-CMOS 스위치 소자를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 제안한 Buck 컨버터는 밴드갭 기준 전압 회로, 삼각파 발생기, 오차 증폭기, 비교기, 보상 회로, PWM 제어 블록으로 구성되어 있다. 삼각파 발생기는 전원전압(3.3V)부터 접지까지 출력 진폭의 범위를 갖는 1.2MHz의 주파수를 생성하며, 비교기는 2단 증폭기로... -
AlGaN/GaN HEMT의 채널폭 스케일링에 따른 협폭효과
임진홍, 김정진, 심규환, 양전욱, Lim. Jin Hong, Kim. Jeong Jin, Shim. Kyu Hwan, Yang. Jeon Wook 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2013, Vol.17 No.1 71-76 (6 pages)
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 채널폭의 감소에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. AlGaN/GaN 이종접합구조 기반의 기판 위에 채널의 길이는 $1{mu}m$, 채널 폭은 각각 $0.5{sim}9{mu}m$가 되도록 전자선 리소그라피 방법으로 트랜지스터를 제작하였다. 게이트를 형성하지 않은 상태에서 채널의 면저항을 측정한 결과 sub-${mu}m$ 크기로 채널폭이 작아짐에 따라 채널의 면저항이 급격히 증가하였으며, 트랜지스터의 문턱전압은 $1.6{mu}m$와 $9{mu}m$의 채널폭에서 -2.85 V 이었으며... -
스위치 전도 손실을 개선한 인터리브 DC-DC 벅-부스트 컨버터 설계
이주영, 주환규, 이현덕, 양일석, 구용서, Lee. Joo-Young, Joo. Hwan-Kyu, Lee. Hyun-Duck, Yang. Yil-Suk, Koo. Yong-Seo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 6 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2010, Vol.14 No.3 250-255 (6 pages)
본 논문에서는 DTMOS(Dynamic Threshold voltage MOSFET) 스위칭 소자를 사용한 인터리브 방식의 전원제어 장치(PMIC)를 제안하였다. 휴대기기에 필요한 높은 출력 전압과 낮은 출력 전압을 제공하기 위하여 벅-부스트 컨버터를 사용하였다. 또한, 높은 출력 전류에서 고 전력 효율을 얻기 위하여 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 방식을 사용하였다. 낮은 온-저항을 갖는 DTMOS를 사용하여 도통 손실을 감소시켰으며 인터리브 방식을 사용하여 출력 리플을 감소시켰다. 1mA 이하의 대기모드에서도 높은 효율을 구현하기 위하여 LDO를... -
Green-Power 스위치와 DT-CMOS Error Amplifier를 이용한 DC-DC Converter 설계
구용서, 양일석, 곽재창, Koo. Yong-Seo, Yang. Yil-Suk, Kwak. Jae-Chang 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 8 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2010, Vol.14 No.2 90-97 (8 pages)
본 논문에서는 DT-CMOS(Dynamic Threshold voltage CMOS) 스위칭 소자와 DTMOS Error Amplifier를 사용한 고 효율 전원 제어 장치(PMIC)를 제안하였다. 높은 출력 전류에서 고 전력 효율을 얻기 위하여 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 방식을 사용하여 PMIC를 구현하였으며, 낮은 온 저항을 갖는 DT-CMOS를 설계하여 도통 손실을 감소시켰다. 벅 컨버터(Buck converter) 제어 회로는 PWM 제어회로로 되어 있으며, 삼각파 발생기, 밴드갭 기준 전압 회로, DT-CMOS 오차 증폭기, 비교기가 하나의 블록으로 구성되어 있다. 제안된 DT-CMOS...