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열처리에 따른 Diamond-like Carbon (DLC) 박막의 특성변화
박창순, 구경호, 박형호, Park. Ch.S., Koo. K.H., Park. H.H. 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2011, Vol.18 No.1 49-53 (5 pages)
Diamond-like carbon (DLC)은 $Sp^3$ 결합분율이 높은 준안정 상태의 비정질 탄소물질로 이루어진 박막이다. DLC는 기계적 특성, 화학적 특성, 윤활 특성뿐만 아니라 광학적, 전기적 특성 또한 우수한 물질이다. 본 연구에서는 DLC 박막을 그라파이트(graphite) 타깃을 출발 물질로 하여 고주파 마그네트론 스퍼터(RF magnetron sputter)로 $SiO_2$ 기판 상에 증착하였다. 증착된 DLC 박막은 후 열처리를 하였으며 열처리 온도에 따른 DLC 박막의 특성 변화를 관찰하였다. 열처리는 진공에서 급속가열법(rapid thermal process)으로... -
RF 마그네트론 스퍼터링 공정으로 PET 기판 위에 제조한 Ga-doped ZnO 투명전도막의 특성
김정연, 김병국, 이용구, 김재화, 우덕현, 권순용, 임동건, 박재환, Kim. Jeong-Yeon, Kim. Byeong-Guk, Lee. Yong-Koo, Kim. Jae-Hwa, Woo. Duck-Hyun, Kweon. Soon-Yong, Lim. 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 6 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2010, Vol.17 No.1 19-24 (6 pages)
산소 플라즈마 전처리에 의한 PET 기판 위에 Ga이 도핑된 ZnO 투명전극 (GZO)의 특성변화를 고찰하였다. GZO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터링 공정에 의해 합성하였으며 GZO 증착 이전에 PET 기판의 표면에너지를 높이고 GZO 박막과의 접촉특성을 향상시키기 위해 산소플라즈마 공정을 적용하였다. 산소 플라즈마 처리공정을 시행함에 따라 GZO 박막의 결정성과 전기적 특성이 향상하였다. RF 파워를 100 W로 하고, 플라즈마 처리시간을 600초로 하였을 때 GZO 박막의 최저 비저항 값인 $1.90{ imes}10^{-3}{Omega}-cm$의 양호한 특성을... -
Al-Ta 합금박막의 구조적 인자가 전기적 특성 및 발열 특성에 미치는 영향
송대권, 이종원, 박인용, 김규진, Song. Daegwon, Lee. Jongwon, Park. In Yong, Kim. Kyujin 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 5 Pages
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징 학회지 2004, Vol.11 No.4 23-27 (5 pages)
본 연구에서는 RF-Magnetron Sputtering 장치를 이용하여 $Al_xTa_{1-x} (x=0.0{~}1.0)$ 합금박막을 성장하였고, XRD, AFM, 4탐침법 등을 사용하여 시료의 결정질과 표면형상, 그리고 전기적 특성을 분석하였다. Al 조성을 변화시켜서 Al-Ta 합금박막을 증착하고, 그에 따라 얻어진 결과를 토대로 하여 박막 두께별 ,박막의 폭 별로 합금박막을 성장하였다. 또한 heat controller를 사용하여 시료의 발열특성을 분석하였다. 본 연구의 결과 Al-Ta 합금박막은 Al 조성 $x=6.63at\%$에서 가장 높은 전기저항이 나타났고, 박막두께가... -
마그네트론 스퍼터링법을 이용한 Indium-Tin Oxide 박막의 제작과 그 특성에 관한 연구
조길호, 김여중, 김성종, 문경만, 이명훈 한국마린엔지니어링학회 韓國舶用機關學會誌 9 Pages
한국마린엔지니어링학회 韓國舶用機關學會誌 2000, Vol.24 No.6 61-69 (9 pages)
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Ni-Fe/Co-Fe/Mn-Ir/Cu/buffer/Si 다층박막의 교환이방성에 관한 연구
윤성용, 노재철, 전동민, 임흥순, 서수정 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2000, Vol.10 No.1 36-41 (6 pages)
본 실험에서는 D.C magnetron sputtering을 사용하여 Ni-Fe/Co-Fe/Mn-Ir/Cu/buffer/Si 다층박막의 교환이방성에 관하여 연구하였다. 일반적인 Ni-Fe/Mn-Ir/buffer(Cu)/Si의 다층박막 구조는 낮은 교환결합 자계에 의하여 강자성체를 완전히 고착시키지 못한다. 따라서 Ni-Fe/Mn-Ir/buffer/Si 다층박막의 $H_{ex}$를 증가시키기 위해 하지층으로 Cu/Ta을 사용하여 Mn-Ir막의 결정립 부피를 증가시키고 Ni-Fe.Mn-Ir계면에 Co-Fe을 삽입하여 반강자성체/강자성체 계면에서의 epitaxy 경향을 향상시켜 2배 이상의 $H_{ex}$의 증가를 얻을 수... -
Co-sputtered $HfO_2-Al_2O_3$을 게이트 절연막으로 적용한 IZO 기반 Oxide-TFT 소자의 성능 향상
손희근, 양정일, 조동규, 우상현, 이동희, 이문석, Son. Hee-Geon, Yang. Jung-Il, Cho. Dong-Kyu, Woo. Sang-Hyun, Lee. Dong-Hee, Yi. Moon-Suk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.6 1-6 (6 pages)
투명 산화물 반도체 (Transparent Oxide-TFT)를 활성층과 소스/드레인, 게이트 전극층으로 동시에 사용한 비결정 indium zinc oxide (a-IZO), 절연층으로 co-sputtered $HfO_2-Al_2O_3$ (HfAIO)을 적용하여 실온에서 RF-magnetron 스퍼터 공정에 의해 제작하였다. TFT의 게이트 절연막으로써 $HfO_2$ 는 그 높은 유전상수( > 20)에도 불구하고 미세결정구조와 작은 에너지 밴드갭 (5.31eV) 으로 부터 기인한 거친계면특성, 높은 누설전류의 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는, 어떠한 추가적인 열처리 공정 없이 co-sputtering에 의해... -
HfO2-Si의 조성비에 따른 HfSiOx의 IZO 기반 산화물 반도체에 대한 연구
조동규, 이문석, Cho. Dong Kyu, Yi. Moonsuk 대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 6 Pages
대한전자공학회 Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 2013, Vol.50 No.2 98-103 (6 pages)
본 연구에서는 IZO를 활성층으로 하고 $HfSiO_x$를 절연층으로 한 TFT에 대하여 그 성능을 측정하였다. $HfSiO_x$는 $HfO_2$ target과 Si target을 co-sputtering 하여 증착하였으며 RF power를 달리 하여 네 가지의 $HfSiO_x$ 박막을 제작하였다. 공정의 간소화를 위해 게이트 전극을 제외한 모든 층들은 RF-magnetron sputtering system과 shadow mask만을 이용하여 증착하였으며 공정의 간소화를 위해 어떠한 열처리도 하지 않았다. 네 가지 $HfSiO_x$ 박막의 구조적 변화를 X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy(AFM)을...