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Tuner System을 이용한 밀리미터파 탐색기용 W-band MMIC 저잡음 증폭기
안단, 김성찬, 이진구, An. Dan, Kim. Sung-Chan, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2011, Vol.48 No.11 89-94 (6 pages)
본 논문에서는 밀리미터파 Tuner system을 이용하여 밀리미터파 탐색기에 적용 가능한 W-band MMIC 저잡음 증폭기를 구현하였다. 저잡음 증폭기를 위해 구현된 MHEMT의 측정결과 692mA/mm의 드레인 전류 밀도, 726mS/mm의 최대전달컨덕턴스를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득차단주파수는 195GHz, 최대공진주파수는 305GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 제작된 W-band 저잡음 증폭기의 측정결과 94GHz에서 7.42dB의 우수한 S21 이득 특성을 얻었으며, 잡음 지수의 측정결과 94.2GHz에서 2.8dB의 잡음 특성을 얻었다. -
소스 피드백을 이용한 고이득 W-band MMIC 증폭기설계
박상민, 김영민, 고유민, 서광석, 권영우, 정진호, Park. Sang-Min, Kim. Young-Min, Koh. Yu-Min, Seo. Kwang-Seok, Kwon. Young-Woo, Jeong. Jin-Ho 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2010, Vol.47 No.10 74-79 (6 pages)
본 논문에서는 70 nm mHEMT MMIC 기술을 이용한 고이득 W-band 증폭기를 제시한다. W-band에서 고이득 특성을 얻기 위하여 공통 소스 FET의 소스 피드백 라인의 길이를 조절하면 설계 주파수에서 이득이 최대가 되도록 하였다. 이 라인의 길이를 조절하여 94 GHz에서 MAG를 0.8 dB 향상 시킬 수 있음을 시뮬레이션에서 확인하였다. 뿐만 아니라, 이 소스 피드백 라인은 FET의 입력 임피던스도 변화시켜 입력 정합을 용이하게 한다. 이 현상을 이용하여 공통 소스 FET 4단으로 이루어진 w-band 증폭기를 CPW로 설계하였다. 제작된 W-band... -
높은 격리도 특성의 W-밴드용 MIMIC 단일 평형 주파수 혼합기의 설계 및 제작 연구
이상용, 이문교, 안단, 이복형, 임병옥, 이진구, Yi. Sang-Yong, Lee. Mun-Kyo, An. Dan, Lee. Bok-Hyung, Lim. Byeong-Ok, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2007, Vol.44 No.11 48-53 (6 pages)
주파수 혼합기를 개발하였다. 혼합기는 $0.1;{mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT 다이오드를 적용하였다. 혼합기에 사용된 MHEMT는 전류이득차단 주파수가 154 GHz, 최대공진 주파수 특성이 454 GHz의 특성을 나타내었다. 제작된 혼합기의 특성 측정 결과 LO 입력 전력이 8.6 dBm일 때 12.8 dB의 변환 손실 특성을 나타내었으며, 입력 및 출력 P1 dB는 각각 5 dBm, -8.9 dBm의 특성을 나타내었다. 또한 LO-RF 격리도 특성은 94 GHz에서 37.2 dB로 높은 격리도 특성을 나타내었다. 격리도 특성을 고려할 때, 본 논문에서 설계 및... -
높은 LO-RF 격리 특성의 W-band MIMIC Single-balanced 믹서
안단, 이복형, 임병옥, 이문교, 이상진, 진진만, 고두현, 김성찬, 신동훈, 박형무, 박현창, 김삼동, 이진구, An. Dan, Lee. Bok-Hyung, Lim. Byeong-Ok, Lee. Mun-Kyo, Lee. Sang-Jin, Jin. Jin-Min 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신 2005, Vol.42 No.6 67-74 (8 pages)
MIMIC single-balanced 믹서는 0.1 $mu$m InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor) 다이 오드를 이용하여 설계 및 제작되었다. 제작된 MHEMT는 fT는 189 GHz, fmax는 334 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 설계된 믹서는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용해 제작되었다. 94 GHz MIMIC single-balanced 믹서의 측정결과 변환손실 특성은 94 GHz에서 23.1 dB의 특성을 나타내었으며, 입력 Pl dB는 10 dBm, 출력 Pl dB는 -13.9 dBm의 결과를 얻었다. Single-balanced 믹서의 LO-RF 격리도는... -
Metamorphic HEMT를 이용한 우수한 성능의 94 GHz MMIC 저잡음 증폭기
김성찬, 안단, 이진구, Kim. Sung-Chan, An. Dan, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.8 48-53 (6 pages)
integrated circuit) 저잡음 증폭기를 구현하였다. 94 GHz MMIC 저잡음 증폭기 구현을 위하여 제작된 $100nm imes60{mu}m$ MHEMT의 측정결과, 655 mA/mm의 드레인 전류 밀도, 720 mS/mm의 최대전달컨덕턴스를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득차단주파수는 195 GHz, 최대공진주파수는 305 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 구축된 MHEMT와 CPW 라이브러리를 이용하여 구현된 MMIC 저잡음 증폭기의 측정결과, 94 GHz에서 $S_{21}$ 이득은 14.8 dB, 잡음지수는 4.6 dB의 우수한 특성을 얻었다. 전체 칩의 크기는 $1.8mm imes1.48mm$이다. -
$0.1{mu}m$ Metamorphic HEMT를 이용한 고이득 D-Band MMIC 2단 구동증폭기 개발
이복형, 이진구, Lee. Bok-Hyung, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.12 41-46 (6 pages)
metamorphic HEMT기술을 기반으로 하여 D-Band(110 - 140 GHz) 대역에서 동작하는 MMIC 2단 구동 증폭기를 제작하였다. 제작된 구동 증폭기는 밀리미터파 대역인 110 GHz에서 10 dB 이상의 우수한 $S_{21}$ 이득 특성을 보였으며, 이때 반사 특성 또한 $S_{11}$ -3.5 dB와 $S_{22}$ -6.5 dB로 양호한 특성을 얻었다. 이러한 높은 성능의 MMIC 구동증폭기의 특성은 주로 MHEMT 성능에 기인한다. 본 논문에서 적용한 $0.1{mu}m$ MHEMT는 760 mS/mm의 전달컨덕턴스 특성과 195 GHz의 차단주파수 391 GHz의 최대공진 주파수 특성을 갖는다. -
Metamorphic HEMT에서 low-k Benzocyclobutene(BCB)를 이용한 표면 passivation 비교 연구
백용현, 오정훈, 한민, 최석규, 이복형, 이성대, 이진구, Baek. Yong-Hyun, Oh. Jung-Hun, Han. Min, Choi. Seok-Gyu, Lee. Bok-Hyung, Lee. Seong-Dae, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.4 80-85 (6 pages)
논문에서 passivation 물질로 낮은 유전 상수를 갖는 benzocyclobutene (BCB)과 전통적인 passivation 물질인 Si3N4를 이용하여 GaAs를 기반으로 하는 $0.1{mu}m;{Gamma}$-gate InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs)를 제작하였다. 제작된 MHEMT의 특성은 passivation 전과 후로 구분하여 비교하였다. Passivation후 BCB와 Si3N4를 이용한 경우 모두에서 passivation 이전에 비해 저하된 DC 및 RF 특성을 나타내었으나, BCB를 이용하여 passivation을 한 소자들이 전통적인 passivation 물질인 Si3N4를... -
$0.1;{mu}m$ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화
한민, 김삼동, 이진구, Han. Min, Kim. Sam-Dong, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2005, Vol.42 No.3 1-8 (8 pages)
본 논문에서는 $0.1;{mu}m$ 이하의 게이트 길이를 갖는 MHEMT의 DC 및 RF 특성을 상용 시뮬레이터인 ISE-TCAD tool을 이용하여 결과를 고찰하였다. 이후 MHEMT의 게이트 길이와, 소스-드레인 간격 및 채널 두께를 변화시켜 가면서 소자의 수평, 수직 Scaling효과가 소자 특성에 미치는 영향을 비교하였으며, 게이트 길이 $(L_g)$가 $0.1;{mu}m$ 이하로 감소함에 따라 $g_{m,max}$가 같이 감소하는 현상에 대해서 논의해 보았다. 또한 이 현상을 가지고 소자의 횡적, 종적 파라미터의 scaling 효과에 대한 모델을 제시 했다. -
Metamorphic HEMT를 이용한 100GHz MIMIC 증폭기의 설계 및 제작
안단, 이복형, 임병옥, 이문교, 백용현, 채연식, 박형무, 이진구 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.9 25-30 (6 pages)
MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT의 드레인 전류 밀도는 640 mA/mm 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 653 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 fT는 173 GHz, fmax는 271 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 100 GHz MIMIC 증폭기의 개발을 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 MIMIC 증폭기를 설계하였다. 설계된 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용해 제작되었으며, 100 GHz MIMIC 증폭기의 측정결과, 100 GHz에서 10.1 dB 및 97.8... -
70 nm T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성
김성찬, 임병옥, 백태종, 고백석, 신동훈, 이진구 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.9 19-24 (6 pages)
우리는 3층 구조의 레지스터와 이중 노광 방법을 이용하여 유전체 지지대를 사용하지 않은 새로운 방법으로 게이트 길이가 70 nm인 T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 제작 하였다. 게이트 길이가 70 nm이고 게이트 단위폭이 70 ㎛인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT는 최대 포화 전류밀도가 최대 포화 전류밀도가 228.6 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 645 mS/mm, 전류이득차단주파수가 255 GHz인 특성을 보였다.