Passivation 기술은 소자를 외부 환경의 영향으로부터 보호할 수 있고, 소자 성능의 감소를 예방할 수 있기 때문에 능동 소자 제작에 있어서 매우 중요하다. 본 논문에서 passivation 물질로 낮은 유전 상수를 갖는 benzocyclobutene (BCB)과 전통적인 passivation 물질인 Si3N4를 이용하여 GaAs를 기반으로 하는 $0.1{mu}m;{Gamma}$-gate InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs)를 제작하였다. 제작된 MHEMT의 특성은 passivation 전과 후로 구분하여 비교하였다. Passivation후 BCB와 Si3N4를 이용한 경우 모두에서 passivation 이전에 비해 저하된 DC 및 RF 특성을 나타내었으나, BCB를 이용하여 passivation을 한 소자들이 전통적인 passivation 물질인 Si3N4를 이용한 소자들에 비해서 상대적으로 낮은 특성 저하를 DC와 RF에서 함께 나타내었다.
The passivation is one of the important technologies for protection of the devies from damage. In this paper, we fabricated $0.1{mu}m;{Gamma}$--gate InAIAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs) on a GaAs substrate. And then the wafer with MHEMTs was divided into two pieces; one for passivation and another for without passivation experiments. The passivations were done by using both low-k BCB and Si3N4 thin films. DC and RF performances were measured and the results are compared. The MHEMTs with BCB passivation show lower degradation than ones with Si3N4 passivation.
