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The Quality Investigation of 6H-SiC Crystals Grown by a Conventional PVT Method with Various SiC Powders
Yeo. Im-Gyu, Lee. Tae-Woo, Lee. Won-Jae, Shin. Byoung-Chul, Choi. Jung-Woo, Ku. Kap-Ryeol, Kim. Young-Hee 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2010, Vol.11 No.2 61-64 (4 pages)
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Barium Nitrate Single Crystals Growth by Aqueous Solution Method
Joo. Gi-Tae, Kang. Bonghoon 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2012, Vol.22 No.12 706-710 (5 pages)
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Optical Properties of ZnHgGa4Se8 and ZnHgGa4Se8:Co2+ Single Crystals
Lee. Choong-Il 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2005, Vol.15 No.10 657-661 (5 pages)
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Optical Properties of SnS2 Single Crystals
Lee. Choong-Il 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2005, Vol.15 No.3 195-201 (7 pages)
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The Estimation of Activation Energy for Prism Plane SliP {1120} <1100> Dislocation Velocity in Sapphire Single Crystals using Brittle-to-ductile Transition Model
윤석영, 이종영, Yun. Seog-Young-Yoon, Lee. Jong-Young-Lee 한국재료학회 한국재료학회지 4 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.6 508-511 (4 pages)
사파이어 단결정의 취성-연성전이에 대한 실험을 행하였다. 사파이어 단결정의 취성-연성전이온도는 변형율 3.3$ imes$ $10^{-5}$/sec에서 $1000pm$$25^{circ}C$ 그리고 변형률 3.3$ imes$$10^{-5}$/sec에서는 1100$pm$26$^{circ}C$이었다. 취성-연성전이모델을 이용하여 Prism Plane slip {1120} <1100> 전위속도의 활성화에너지를 계산하였으며, 그 결과 활성화에너지는 4.6$pm$2.3eV의 범위를 가졌다. 이 활성화에너지는 에치-퍼트법을 이용하여 전위속도측정으로부터 구한 결과치 3.8eV와 유사하였다. -
Basal slip (0001)1/3<1120> dislocation in sapphire ($alpha$-Al$_2$O$_3$) single crystals Part I : recombination motion
Yoon. Seog-Young 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.4 278-282 (5 pages)
사파이어($alpha$-$Al_2$$O_3$) 단결정에 있어 basal slip (0001)1/3<1120>의 부분전위의 재결합거동을 알아보기 위해 prism plane (1120)의 사파이어 재료를 사용하여 4점 곡강도 시험을 행하였다. 이 굽힘시험은 온도 $1200^{circ}C$~$1400^{circ}C$에서 그리고 응력은 90MPa, 120MPa, 150MPa에서 행하여졌다 굽힘시험 동안 basal전위가 이동하기 위해 잠복기가 필요하였다. 실험온도 범위내에서 잠복기의 활성화에너지는 5.6-6.0eV이었으며, 이 잠복기는 자체-상승운동으로 분해된 부분전위들이 재결합하는데 필요한 시간인... -
Basal slip (0001)1/3 <1120> dislocation in sapphire ($alpha$-$Al_2$$O_3$) single crystals Part I: Dislocation velocity
윤석영, 이종영, Yoon. Seog-Young, Lee. Jong-Young 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2001, Vol.11 No.3 221-226 (6 pages)
사파이어 ($alpha$-$Al_2$$O_3$) 단결정에 있어 basal slip (0001)1/3<1120>의 전위속도를 4점 곡강도를 이용하여, 측정하였다. 이 곡강도는 온도 $1200^{circ}C$ 에서 $1400^{circ}C$ 그리고 응력은 90MPa, 120MPa, 160MPa에서 행하여졌다. 전위속도는 4 점굽힘 시편의 굽힘변위속도에 의해 구하여졌다. 얻어진 전위속도를 이용하여 전위속도의 온도 및 응력 의존성에 대해 검토하였다. 전위속도의 온도의존성을 이용하여 basal slip 전위속도를 위한 활성화에너지를 구하였으며, 그 값은 대략 2.2$pm$0.4eV이었다. 한편,... -
Band-Gap Energy and Thermoelectric Properties of 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ Single Crystals
하헌필, 현도빈, 황종승, 오태성, Ha. Heon-Pil, Hyeon. Do-Bin, Hwang. Jong-Seung, O. Tae-Seong 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.4 349-354 (6 pages)
Dopant를 첨가하지 않은 시료와 donor dopant로 $CdI_2$를 첨가한 $Bi_2Te_3-10%$ 단결정을 Bridgman법으로 성장시키고 Hall 계수, 전하이동도, 전기비저향, Seebeck 계수, 열전도도 빛 성능지수를 77~600K의 온도범위에서 측정하였다. Dopant를 첨가하지 않은 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Se_3$ 단결정에서 포화정공농도는 $5.85 imes10_{18}cm^{-3}$ 이고 degenerate 온도는 127K 이었￡며, 전하 이동에 대한 산란인자는 -0.23 이고 전자이동도와 정꽁이동도의 비 ($mu_e/mu_h)$는 1.45 이었다. 90% $Bi_2Te_3-10% Bi_2Te_3$ 단결정의 OK...