The Estimation of Activation Energy for Prism Plane SliP {1120} <1100> Dislocation Velocity in Sapphire Single Crystals using Brittle-to-ductile Transition Model

The Estimation of Activation Energy for Prism Plane SliP {1120} <1100> Dislocation Velocity in Sapphire Single Crystals using Brittle-to-ductile Transition Model
The Estimation of Activation Energy for Prism Plane SliP {1120} <1100> Dislocation Velocity in Sapphire Single Crystals using Brittle-to-ductile Transition Model

ㆍ 저자명: 윤석영,이종영,Yun. Seog-Young-Yoon,Lee. Jong-Young-Lee
ㆍ 간행물명: 한국재료학회지
ㆍ 권/호정보: 2001년|11권 6호|pp.508-511 (4 pages)
ㆍ 발행정보: 한국재료학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|ENG|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

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서지반출

영문초록

사파이어 단결정의 취성-연성전이에 대한 실험을 행하였다. 사파이어 단결정의 취성-연성전이온도는 변형율 3.3$ imes$ $10^{-5}$/sec에서 $1000pm$$25^{circ}C$ 그리고 변형률 3.3$ imes$$10^{-5}$/sec에서는 1100$pm$26$^{circ}C$이었다. 취성-연성전이모델을 이용하여 Prism Plane slip {1120} <1100> 전위속도의 활성화에너지를 계산하였으며, 그 결과 활성화에너지는 4.6$pm$2.3eV의 범위를 가졌다. 이 활성화에너지는 에치-퍼트법을 이용하여 전위속도측정으로부터 구한 결과치 3.8eV와 유사하였다.

기타언어초록

Experimental studies of the brittle-ductile transition (BDT) for pre-cracked sapphire single crystals were carried out. The BDT temperature in sapphire single crystals were $1000pm$$25^{circ}C$ and 1100$pm$$25^{circ}C$ at constant strain rate 3.3$ imes$$10^{-5}$/sec and 3.3$ imes$$10^{-6}$/sec, respectively. With aid of the BDT model, the activation energy for prism plane slip {1120} <1100> dislocation velocity was in the range of 4.6$pm$2.3eV This activation energy for dislocation velocity with BDT model was compatible with the result of the dislocation velocity (3.8eV) using the etch-pit techniques.

키워드

Sapphire single crystals Brittle-ductile transition activation energy

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