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401.

실리콘 에피-웨이퍼 기반의 펄스감마선 검출센서 최적화 연구

이남호, 황영관, 정상훈, 김종열, 조영, Lee. Nam-Ho, Hwang. Young-Gwan, Jeong. Sang-Hun, Kim. Jong-Yeol, Cho. Young 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 7 Pages

한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2014, Vol.18 No.7 1777-1783 (7 pages)

이남호, 황영관, 정상훈, 김종열, 조영, Lee. Nam-Ho, Hwang. Young-Gwan, Jeong. Sang-Hun, Kim. Jong-Yeol, Cho. Young 저

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본 연구에서는 전자장비 내방사화 기술의 새로운 효율적 접근방법인 전원제어형 방호장치에서 핵심 기능을 수행하는 고속 반도체 센서를 개발하고 그 특성을 분석하였다. 먼저, 펄스방사선에 의한 다이오드 내부에서의 생성 전하를 계산한 후 TCAD로 모델링하여 $42{mu}m$ 진성층의 실리콘 에피텍시 웨이퍼 기반의 고속 신호탐지용 PIN 다이오드 센서를 다양한 구조로 설계하였다. PAL의 Test LINAC의 전자빔 변환 감마방사선 4.88E8 rad(Si)/sec에 대한 실측시험에서 소자의 면적에 비례하는 광감도와 응답속도 증가 결과를 얻었으며...
402.

MANET에서의 AODV 기반 2홉 동적 경로유지 기법 연구

문대근, 김학배, Moon. Dae-Keun, Kim. Hag-Bae 한국정보처리학회 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part C Part C 8 Pages

한국정보처리학회 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part C Part C 2007, No.0 191-198 (8 pages)

문대근, 김학배, Moon. Dae-Keun, Kim. Hag-Bae 저

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이동성을 가진 다수의 노드들로 구성된 MANET (Mobile Ad-hoc Networks)에서는 네트워크 토폴로지의 빈번한 변화에 효과적으로 대응할 수 있는 요구기반 (On Demand) 방식의 라우팅 프로토콜이 주로 사용된다. 대표적인 요구기반 라우팅 프로토콜인 AODV (Ad-hoc On demand Distance Vector)는 데이터 전송을 위하여 경로의 다음노드 (Next Hop)가 기록된 각 노드의 경로테이블을 기반으로 운영되며 선정된 경로는 유효기간이 만료되거나 경로단절이 발생되지 않을 경우에 그대로 유지된다. 본 연구에서는 AODV를 기반으로 설정된 경로의...
403.

무선 LAN 시스템에서 계층 2 트리거 발생기 설계를 위한 적응성 있는 수신 신호 강도 예측 모델

박재성, 임유진, 김범준, Park. Jae-Sung, Lim. Yu-Jin, Kim. Beom-Joon 한국정보처리학회 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part C Part C 8 Pages

한국정보처리학회 정보처리학회논문지. The KIPS transactions. Part C Part C 2007, No.0 305-312 (8 pages)

박재성, 임유진, 김범준, Park. Jae-Sung, Lim. Yu-Jin, Kim. Beom-Joon 저

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무선 LAN 시스템에서 고속 핸드오프를 위한 계층 2 트리거는 정확한 핸드오프 예측 모델을 요구한다. 이에 따라 본 논문은 계층 2 트리거 발생기 설계를 위한 단말의 이동성 모델로 수신 신호 강도 (received signal strength: RSS) 예측 모델을 제안한다. 제안 모델은 짧은 시간 동안 사용자 단말과 억세스 포인트 (AP) 사이의 거리 변화양은 물리적으로 제한된다는 사실을 이용하여 일정 시간 동안 측정된 RSS 값들에 대해 적응성 있게 동작한다. 제안 모델 설계를 위해 우선 ns 2 모의 실험을 통해 측정된 RSS 데이터를 통계적으로...
404.

SIR을 이용한 제 2저지 대역 제어 가능 UWB 안테나

최형석, 최경, 황희용, Choi. Hyung-Seok, Choi. Kyung, Hwang. Hee-Yong 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 6 Pages

한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2012, Vol.23 No.9 1019-1024 (6 pages)

최형석, 최경, 황희용, Choi. Hyung-Seok, Choi. Kyung, Hwang. Hee-Yong 저

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본 논문에서는 SIR(Step Impedance Resonator)을 이용하여 제 1저지 대역인 5 GHz WLAN 대역의 신호 간섭을 제거하며 제 2저지 대역을 제어할 수 있는 UWB 안테나를 제안하였다. SIR은 단일 임피던스 공진기와는 다르게 Step Impedance의 차이로 제 2고조파가 정해지는 특징이 있으므로 UWB 안테나에 적용하여 제 2저지 대역을 제어 가능하도록 하였다. 또한, 제 1저지 대역에서 안테나의 동작을 등가 회로로 나타내었으며, SIR의 등가 모델값 및 안테나와 SIR의 결합 값을 구하였다. 제안된 안테나는 UWB 전체 대역에서 -10 dB 이하의...
405.

보우-타이 모노폴 UWB 안테나의 소형화 및 대역 저지 특성

최형석, 최경, 황희용, Choi. Hyung-Seok, Choi. Kyoung, Hwang. Hee-Yong 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 6 Pages

한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2012, Vol.23 No.3 300-305 (6 pages)

최형석, 최경, 황희용, Choi. Hyung-Seok, Choi. Kyoung, Hwang. Hee-Yong 저

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본 논문에서는 대역 저지 특성을 갖는 소형화된 보우-타이 모노폴 UWB 안테나를 제안하였다. 기존의 보우-타이 모노폴 안테나에 완전 자계벽(PMW) 조건을 적용하여 안테나의 물리적 크기를 소형화하였다. 임피던스 정합을 위해 접지면의 굴곡각을 조절하였고, 테이퍼 형태의 급전 선로를 적용하였으며, 패치면의 모서리를 잘라 내었다. UWB 대역 내에 존재하는 타 대역의 간섭을 저지하기 위해 패치면에 ${lambda}/4$ 슬롯 공진기를 삽입하였다. 제작된 안테나는 비유전율 6.15를 갖는 Taconic RF60-A 기판을 사용하였다. 제안된 안테나의...
406.

펄스 변조 및 전원 스위칭 방법을 혼용한 X-대역 50 W Pulsed SSPA 설계 및 제작

김효종, 윤명한, 장필식, 김완식, 이종욱, Kim. Hyo-Jong, Yoon. Myoung-Han, Chang. Pil-Sik, Kim. Wan-Sik, Lee. Jong-Wook 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages

한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2011, Vol.22 No.4 440-446 (7 pages)

김효종, 윤명한, 장필식, 김완식, 이종욱, Kim. Hyo-Jong, Yoon. Myoung-Han, Chang. Pil-Sik, Kim. Wan-Sik, Lee. Jong-Wook 저

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본 논문에서는 레이더 시스템에 적용이 가능한 50 W 출력을 가지는 X-대역 pulsed SSPA(Solid State Power Amplifier)를 설계 및 제작하였다. SSPA를 펄스 모드로 동작시키는 방법으로 펄스 변조 방법과 전원 스위칭 방법을 혼용한 방법을 제안하였다. SSPA는 구동 증폭기, 고출력 증폭기, 펄스 변조기로 구성되며, 충분한 이득과 출력 크기를 얻기 위해 25 W GaAs FET 4개를 병렬 구조로 구성하였다. 측정 결과 1.12 GHz 대역폭에서 출력 50 W, 이득 44.2 dB의 성능을 가졌다. 또한, pulse droop은 1 dB 이하로 설계 목표를...
407.

LDMOS FET를 이용한 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기 설계

이희민, 홍성용, Yi. Hui-Min, Hong. Sung-Yong 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages

한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2008, Vol.19 No.4 484-491 (8 pages)

이희민, 홍성용, Yi. Hui-Min, Hong. Sung-Yong 저

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본 논문에서는 LDMOS FET를 이용하여 스위칭 방식의 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기를 설계하고 제작하였다. 이를 위해 LDMOS FET의 드레인 전원을 스위칭하기 위한 고전압 스위칭 회로를 제안하였다. LDMOS FET를 이용한 펄스 고전력 증폭기는 단일 전원을 사용하고, 소자 특성상 이득과 출력이 높기 때문에 기존의 GaAs FET를 사용한 증폭기에 비해 구조가 간단하며, 사용 전압($V_{ds}=26{sim}28;V$)에 비해 최대 허용 전압(65 V)이 $2{sim}3$배 높아 스위칭 방식에 적합하다. LDMOS FET를 이용하여 제작된 1.2 GHz 대역 100 W 펄스...
408.

양 방향성과 높은 홀딩전압을 갖는 사이리스터 기반 Whole-Chip ESD 보호회로

송보배, 한정우, 남종호, 최용남, 구용서, Song. Bo-Bae, Han. Jung-Woo, Nam. Jong-Ho, Choi. Yong-Nam, Koo. Yong-Seo 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 7 Pages

한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2013, Vol.17 No.3 378-384 (7 pages)

송보배, 한정우, 남종호, 최용남, 구용서, Song. Bo-Bae, Han. Jung-Woo, Nam. Jong-Ho, Choi. Yong-Nam, Koo. Yong-Seo 저

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본 논문에서는 높은 홀딩 전압을 갖는 SCR 기반의 파워 클램프용 ESD 보호회로와 whole-chip ESD 보호를 위한 양 방향성 ESD 보호회로를 제안하였다. 측정 결과, 파워 클램프의 경우 N/P-웰과 P-drift 영역의 길이의 변화에 따른 홀딩 전압의 증가를 확인하였으며 I/O의 경우 5V의 트리거 전압과 3V의 홀딩 전압을 확인하였다. 일반적인 whole-chip ESD 보호회로와 달리, VDD-VSS 모드 뿐만 아니라 PD, ND, PS, NS의 ESD stress mode의 방전 경로를 제공하여 효과적인 보호를 제공하며 최대 HBM 8kV, MM 400V의 감내특성을 가진다. 따라서...
409.

P-V 곡선법에 의한 참취와 수리취의 수분포텐셜 비교

이경철, 전성렬, 한상섭, Lee. Kyeong-Cheol, Jeon. Seong-Ryeol, Han. Sang-Sup 한국자원식물학회 韓國資源植物學會誌 6 Pages

한국자원식물학회 韓國資源植物學會誌 2011, Vol.24 No.4 413-418 (6 pages)

이경철, 전성렬, 한상섭, Lee. Kyeong-Cheol, Jeon. Seong-Ryeol, Han. Sang-Sup 저

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P-V 곡선을 적용하여 참취와 수리취의 수분특성인자를 측정한 결과 최대포수시의 삼투포텐셜 ${Psi}^{sat}_o$과 초기원형질 분리점의 삼투포텐셜 ${Psi}^{tlp}_o$은 참취가 수리취보다 낮은 값을 나타냈으나 큰 차이를 보이지는 않았다. 최대팽압 ${Psi}_{P,max}$는 참취가 수리취에 비해 높게 나타났으며, 최대탄성계수 $E_{max}$는 참취가 수리취에 비해 약 2.4배 정도 높은 값을 나타냈다. 초기원형질분리점에서의 상대함수율 $RWC^{tlp}$은 참취와 수리취 모두 90% 이상의 함수율을 보여 비교적 삼투 조절기능이 좋은 것을 알 수...
410.

신미종(辛味種) 고추의 성숙(成熟)에 따른 생리화학적(生理化學的) 변화(變化)에 관(關)한 연구(硏究) - [제5보(第五報)] 성장(成長)과 주요성분(主要成分)의 함량(含量)에 미치는 Anion의 영향(影響) -

이성우, 김광수, 김순동, Lee. Sung-Woo, Kim. Kwang-Soo, Kim. Soon-Dong 한국응용생명화학회 한국농화학회지 6 Pages

한국응용생명화학회 한국농화학회지 1975, Vol.18 No.4 228-233 (6 pages)

이성우, 김광수, 김순동, Lee. Sung-Woo, Kim. Kwang-Soo, Kim. Soon-Dong 저

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고추의 성장(成長)과 주요성분(主要成分)의 함량(含量)에 미치는 anion의 영항을 조사(調査)코져 배양액내(培養液內)의 N, S, P의 조성(組成)을 달리하여 재배(栽培) 실험(實驗)을 행하고 이 결과(結果)를 systematic variation method 중(中) binary iateraction방정식(方程式)에 적응시켜 이상조건(理想條件)을 추구(追求)한 결과(結果)는 다음과 같다. 1. 성장(成長) 이상(理想) 조건(條件) 중(中) 초장(草長)은 NS group에서 $75%;NO_3^-+25%;SO_4$, NP group에서는 $68.5%;NO_3^-+31.5%;PO_4^{--}$가 최적(最適) 조건(條件)이었으며...

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