- LDMOS FET를 이용한 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기 설계
- ㆍ 저자명
- 이희민,홍성용,Yi. Hui-Min,Hong. Sung-Yong
- ㆍ 간행물명
- 韓國電磁波學會論文誌
- ㆍ 권/호정보
- 2008년|19권 4호|pp.484-491 (8 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전자파학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는 LDMOS FET를 이용하여 스위칭 방식의 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기를 설계하고 제작하였다. 이를 위해 LDMOS FET의 드레인 전원을 스위칭하기 위한 고전압 스위칭 회로를 제안하였다. LDMOS FET를 이용한 펄스 고전력 증폭기는 단일 전원을 사용하고, 소자 특성상 이득과 출력이 높기 때문에 기존의 GaAs FET를 사용한 증폭기에 비해 구조가 간단하며, 사용 전압($V_{ds}=26{sim}28;V$)에 비해 최대 허용 전압(65 V)이 $2{sim}3$배 높아 스위칭 방식에 적합하다. LDMOS FET를 이용하여 제작된 1.2 GHz 대역 100 W 펄스 증폭기는 펄스 폭이 2 us, PRF가 40 kHz의 출력 신호에서 상승 시간이 28.1 ns, 하강 시간이 26.6 ns로 측정되었다.
In this paper, we design and fabricate the L-band high speed pulsed HPA using LDMOS FET. And we propose the high voltage and high speed switching circuit for LDMOS FET. The pulsed HPA using LDMOS FET is simpler than using GaAs FET because it has a high gain, high output power and sin81e voltage supply. LDMOS FET is suitable for pulsed HPA using switching method because it has $2{sim}3$ times higher maximum drain-source voltage(65 V) than operating drain-source voltage($V_{ds}=26{sim}28;V$). As results of test, the output peak power is 100 W at 1.2 GHz, the rise/fall time of output RF pulse are 28.1 ns/26.6 ns at 2 us pulse width with 40 kHz PRF, respectively.