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소자간 결합효과를 고려한 5.8 GHz ISM 대역 고이득 MMIC 증폭기
황인갑 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 6 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2002, Vol.13 No.10 1083-1088 (6 pages)
논문에서는 ISM대역에서 사용 가능한 5.8 GHz 고이득 증폭기를 MMIC로 설계 제작하였다. 능동소자로는 HEMT를 사용하였으며, 수동소자로는 spiral 인덕터 와 metal insulator metal 커패시터를 이용한 개별소자를 사용하였다. 고이득 증폭기의 안정도를 해결하기 위하여 RC 귀환회로를 사용하였으며 4단 증폭기를 사용하여 31 dB의 이득을 얻었다. 고이득 증폭기이므로 layout 시 수동 소자간의 결합효과에 의한 발진을 방지하기 위하여 소자간의 거리를 가능한 한 멀리하고, 입력단과 출력단 사이에 비아 접지를 두어 소자간의 결합효과... -
12 GHz대 능동 위상 배열 안테나 시스템을 위한 5-비트 디지털 위상 변위기
김경식, 최익권 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2002, Vol.13 No.3 308-315 (8 pages)
안테나 시스템용 5-비트 디지털 위상 변위기를 총 10개의 InGaAs HEMT를 가지고 설계, 제작하였다.. 11.25$^{circ}$,22.5$^{circ}$,45$^{circ}$의 위상 비트들은 부하 선로형 방식으로, 90$^{circ}$, 180$^{circ}$의 위상 비트들은 링 하이브리드와 결합된 반사형 방식으로 각각 설계, 제작하였으며 각 위상 비트당 2개의 InGaAs HEMT를 사용하였다. 제작된 5-비트 위상 변위기는 12.2 GHz~12.7 대역에서 2개의 위상 응답에 대하여 17.5 ㏈ 이상의 반사 손실, 7.8 ㏈ 이하의 삽입 손실 및 초대 $pm$6$^{circ}$의 위상 오차가 측정되었다. -
20 GHz대 1 Watt 고출력증폭 MMIC의 설계 및 제작
임종식, 김종욱, 강성춘, 남상욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1999, Vol.10 No.7 1044-1052 (9 pages)
합 은 3200 m이다. HEMT 소자의 소오스에 연결한 궤환 회로와 바이어스 회로, 그리고 선로상의 안정화 회로를 이 용하여 전대역에서 안정하게 동작하도록 설계하였다. 래인지 결합기로 각 단을 분리하여 독립적으로 설계하였으 며, 이로 인하여 우수한 입출력 반사계수를 얻었다. 설계를 간단하게 시작하기 위하여 파운더리 라이브러리에서 제공된 비선형 등가회로로부터 선형 s-파라미터를 구하고, 이로부터 입출력측 등가회로를 추출하여 초기 설계 에 이용하였다. 제작된 1 watt MMIC 고출력증폭기는 17-25GHz 대역에서 15 dB 이상의... -
밀리미터파 응용을 위한 부품기술
김동욱, 정기웅, 이중원 한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 11 Pages
한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 2000, Vol.11 No.2 52-62 (11 pages)
위한 부품기술을 살펴보았다. 부품기술로는 LG종합기술원에서 개발된 최근의 결과들을 소개하면서 공정기술, 소자기술, 회로설계기술, 조립기술에 대해 알아보았다. 공정기술과 소자기술은 밀리미터파에서 주로 사용되는 HBT와 HEMT를 기준으로 살펴보고 회로설계기술은 기존의 GHz 대역의 설계기술과 밀리미터파 회로 설계기술의 차이점을 언급하였다. 조립기술에 대해서는 일반적으로 MMIC 회로를 제작할 때 사용하는 마이크로스트립 전송선로를 밀리미터파 응용에서 주로 이용하는 도파관에 연결하기 위한 변환구조를 중심으로... -
Scaling Rules for Multi-Finger Structures of 0.1-μm Metamorphic High-Electron-Mobility Transistors
Ko. Pil-Seok, Park. Hyung-Moo 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 7 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2013, Vol.13 No.2 127-133 (7 pages)
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선박 레이다용 60W X-band Cascade SSPA 구현
김민수, 장연길, 이영철, Kim. Min-Soo, Jang. Yeon-Gil, Rhee. Young-Chul 한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 7 Pages
한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 2012, Vol.7 No.1 1-7 (7 pages)
30%이상의 전력부가효율(PAE)으로 증폭시키는 반도체증폭기(SSPA)를 구현에 대하여 논의하였다. 구현된 60W의 SSPA는 케스케이드 결합 증폭기로 설계하였고 케스케이드(cascade) 결합 증폭기는 내부정합된 GaAs FET를 3단으로 구동증폭기를 설계하였으며 주 전력증폭단은 내부정합된 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)로 설계하였다. 구현된 SSPA는 주파수 범위 $9.41{pm}0.03GHz$, 펄스 주기 1ms, 펄스폭 100us, 듀티사이클 10% 조건에서 전체 이득 37dB 이상, 48dBm(60W)의 출력전력의 성능을 나타내었어 구현된 SSPA는... -
초격자를 응용한 고속소자 개발현황
이재진, 이종람, 맹성재, 김진섭, Lee. Jae-Jin, Lee. Jong-Ram, Maeng. Seong-Jae, Kim. Jin-Seop 한국전자통신연구원 전자통신동향분석 10 Pages
한국전자통신연구원 전자통신동향분석 1988, Vol.3 No.2 27-36 (10 pages)
GaAs는 Si보다 이동도가 커서 고속성을 나타낸다. 그런데 이동도는 온도에 따라 저온에서는 불순물의 영향을 받으며 실온 이상에서는 격자 산란의 영향을 받는다. HEMT는 불순물의 영향을 제거하여 초고속성을 가지나 격자산란의 효과는 제거하지 못하였다. 격자산란을 제거하기 위해 HEMT소자에 초격자를 도입하여 초격자 응용 HEMT가 MBE에 의하여 개발되고 있다. -
밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs
류근관, 김성찬, Ryu. Keun-Kwan, Kim. Sung-Chan 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 5 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2012, Vol.16 No.2 116-120 (5 pages)
본 논문에서는 밀리미터파 응용에 사용 가능한 우수한 성능의 50 nm InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT를 구현하였다. 게이트 길이가 50 nm이며 단위 게이트 폭이 30 ${mu}m$인 2개의 게이트를 가지고 있는 MHEMT의 측정결과, 740 mA/mm의 드레인 포화 전류밀도와 1.02 S/mm의 상호전달 전도도를 얻었으며 전류이득차단주파수와 최대공진주파수는 각각 430 GHz와 406 GHz의 특성을 나타내었다. -
Al의 열산화 방법을 이용한 AlGaN/GaN 구조의 표면 Al2O3 패시베이션 효과
김정진, 안호균, 배성범, 박영락, 임종원, 문재경, 고상춘, 심규환, 양전욱, Kim. Jeong-Jin, Ahn. Ho-Kyun, Bae. Seong-Bum, Pak. Young-Rak, Lim. Jong-Won, Moon. Jae-Kyung, Ko. 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2012, Vol.25 No.11 862-866 (5 pages)