집적회로(I.C)의 설계에 있어서는 평수구조의 변형만이 가능하므로 여러가지 다른 트랜지스터 (Transistor)가 결합하여 하나의 특정한 기능을 발휘하게 되는 선형회로에는 회로의 설계와 동시에 사용될 적층(EPI)의 비저항 및 두께와 적층(EPI)과 기판 사이에 삽입되는 이침층(Buried Layer)의 구조 등을 정확히 알아야 한다. 본 연구에서는 집적회로의 동작전압과 적층 두께및 비저항과의 관계를 실측치와 비교분석 하였고 이 결과를 선형 집적회로 설계에 이용 가능하도록 도시하였다. For linear IC design, one has to know the epi thickness, resistivity, and structure of buried island inserted between epi and substrate because the mask structure can only be changed for linear IC consisted of various type of transistors to be made for desired specific function. The interrelation of IC operational and saturation voltages with epi resistivity, theckness and divice structure are studied and presented in graphic forms so that IC design engineers can utilize them.