- Si-ZnSe n-n Heterojunction의 광기전력 효과
- ㆍ 저자명
- 김화택
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1978년|15권 1호|pp.5-11 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Flash증착법으로 Si단결정 (111)면위 에 ZnSe박막을 성장시켜 Si-ZnSe n-n heterojunction을 만들었다. 이 heterojunction의 광기전력 특성을 규명하여 가시광 영역에 감도를 갖는 frequency meter로 사용할 수 있음을 제시했다.
Si-ZnSe n-n heterojunction was made by growing ZnSe thin film on the Si single crystal (111) surface with Bash evaporating method in vacuum. This heterojunction was found to be a useful device for frequency meter in the visible wave-length from the measuring of the photovoltaic effect of the heterojunction.