- Radiation 손상에 기인한 실리콘 특성변화
- ㆍ 저자명
- 장기현
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1978년|15권 4호|pp.26-32 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
실리콘 태양전지의 수명을 예측하기 위하여 1 MeV electron radiation으로 인한 실리콘 손상을 조사 연구하였다. 그 결과 흑형 실리콘에 있어서는 거의 안정상태의 손상에 이르렀음을 보았다.
For a long life photovoltaic cell the degradation of the device characteristics with 1 MeV electron radiation must be known so as to be able to predict the life of the cell. Hence, a study was made of radiation damage effects on the bulk properties of the silicon crystal. From the results of the data, it is concluded that there appeared to be a steads rotate damage level reached in f type material.