도푸안된 n- 또는 P-형 규소표적으로부터 알곤과 사이렌(S1H4) 혼합기체 속에서 스펏터한 결과를 보고한다. 도푸된 박막이 생성되었다. 그러나 도푸효율을 극히 낮았다. 이것은 도판트 원자가 그들 본래의 가(가)에 만족하고 전기적으로 활성이 아니라고 할 수 있겠다. 적외선흡수분광법으로 박막내에 수소가 결합되어 있음을 알 수 있었다. 박막내에서 수소의 결합과 전기적성질사이에 어떤 관계가 있다고는 밝혀지지 않았다.
In the work reported here we have sputtered from silicon targets in argon-silane mixtures using undoped n-type and p-type targets. Doped films have been produced, but the doping efficiency is extremely low. It appears that the dopant atoms are able to satisfy their natural valencies and are therefore not electrically active. Infra-red absorption spectroscopy has been used to establish the hydrogen bonding in the films. No correlation has been found between the nature of the hydrogen bonding in the film and the electrical properties.
