- 스핀온 쏘스에 의한 실리콘내의 붕소의 이단계 확산
- ㆍ 저자명
- 정태원
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1980년|17권 5호|pp.22-27 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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새로운 불순물(dopant) 원료인 스핀온 쏘스를 사용하여 붕소를 실리콘천에 이단계 확산시키는 공정을 검토하였다. predeposition후의 확산충의 두께의 drive-in 확산후의 두께에 비하여 무시할 수 없이 큰 경우에 대하여 이단계 확산공정이 끝난 후의 확산층의 두께를 예측할 수 있는 간단한 방법을 제안하였다. 제안된 방법에 의하여 불순물 확산충의 두께를 예측하였으며 그 결과를 실험적으로 측정된 값과 비교하였다.
The two-step diffusion process of boron into silicon has been investigated using a new diffusion source coiled "Spin-on Source". A simple method is proposei which can estimate the junction depth after the two -step diffusion for the cases where the junction depth after the predeposition is not negligible compared with the junction depth after the two-step diffusion. The estimated junction depths are, then, compared with the experimental measurements.surements.