- 分子軌道論에 의한 反應性 決定 (제22보). ${alpha}$-Methylstyrene 에 대한 Phenylthiyl Radical 부가반응에서의 치환기 효과에 관한 分子軌道論的 연구
- ㆍ 저자명
- 이익춘,전용구,Lee. Ikchoon,Cheun. Young Gu
- ㆍ 간행물명
- 대한화학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1982년|26권 1호|pp.1-6 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한화학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
Thiophenol이 ${alpha}$-methylstyrene에 부과되는 반응에 대하여 CNDO/2 방법을 써서 분자궤도론적으로 고찰하였다. 전체 부가반응은 두 단계, 즉 (1)티오페놀이 분해하여 Phenylthiyl 라디칼이 되는 단계와 (2)이 라디칼이 ${alpha}$-methylstyrene에 부가되어 새로운 단위체 라디칼이 되는 단계로 되어 있으나 부가반응속도를 결정하는데 지배적인 과정은 첫째 (1)과정임을 계산결과로 알 수 있었다. 이것이 바로 thiyl라디칼의 치환기에 대한 Hammertt관게에서 陰의 ${ ho}$값이 실험적으로 얻어진 이유이다. ${ ho}$-chlorophenylthiyl 및 m-trifluoromethyl phenylthiyl 라디칼이 ${ ho}$-methoxy-${alpha}$-methylstyrene에 부가될 때 Hammett 직선관계로 부터 벗어나는 이유는 전체 반응속도에 미치는 부가반응단계 (2)의 기여가 증가하였기 때문이라고 설명 할 수가 있었다.
The addition of thiophenol to ${alpha}$-methylstyrene has been studied MO theoretically using CNDO/2 method. Although overall reaction proceeds in two steps i.e., (1) decomposition of thiophenol to give phenylthiyl radical and (2) addition of the radical to ${alpha}$-methylstyrene to give a new monomer radical, theoretical results suggested that the phenylthiyl radical formation step, (1), was the dominant process in determining the rate of addition; this was the rationale behind the negative ${ ho}$ value obtained experimentally from the Hammett plots for substituents on the thiyl radicals. The departure from a linear Hammett plot for addition of ${ ho}$-chlorophenylthiyl and m-trifluoromethyl phenylthiyl to ${ ho}$-methoxy-${alpha}$-methylstyrene could be explained as a result of an increased contribution of the addition step, (2) to the overall reaction rate.