- 장파장 GaInAsP/Inp DH 레이저의 제작과 발진특성
- ㆍ 저자명
- 이용탁,홍창희,Lee. Yong-Tak,Hong. Chang-Hui
- ㆍ 간행물명
- 전자통신
- ㆍ 권/호정보
- 1982년|4권 1호|pp.3-8 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전자통신연구원
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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성장된 GaInAsP/InP DH wafer로부터 상온에서 duty 5%까지 Pulse 동작이 가능한 전면전극(broad contact) 및 stripe 구조 LD(711이저 다이오드)를 제작하였다. 또 이렇게 제작된 LD의 I-V특성, 1-L 특성 및 발진파장 등을 조사하기 위해 LD 구동회로 및 Ge 태양전지와 Ge-APD를 이용한 광 검출회로를 제작하였다. 이들을 이용해 제작한 LD의 특성을 조사한 결과 stripe 구조 LD인 경우 발진개시전류($I_th$)가 900mA, 발진파장이 $1.29mum$, 파장반치폭(FWHM)이 $60AA$였으며 $1.33I_th$까지 kink 없이 동작이 가능하였다.