- 액상에피층 성장방법에 의한 AlGaAs/GaAs 이중 헤테로 구조의 성장과 LED의 제작
- ㆍ 저자명
- 이원성,권영세
- ㆍ 간행물명
- 電子工學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1984년|21권 5호|pp.11-16 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전자공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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본 논문에서는 III-V족 반도체 소자의 제작에 사용되는 액상 에피층 성장 시스템의 제작 및 이를 이용한 AIGaAs/GaAs 이중 헤테로 구조의 성장 방법에 관하여 고찰하였다. 또한 이 헤테로 구조가 발광 다이오드에 이용될 수 있음을 확인하였다.
In this paper, the construction of the Liquid Phase Epitaxy system for fabricating III-V compound semiconductor devices and the method of growing AIGaAs/GaAs Double-Hetero-structure are discussed. The possibility of this Double-Heterostructure for the Light Emitting Diode is confirmed also.