- LDD 방식에 의한 Short 채널 MOSFET의 특성
- ㆍ 저자명
- 권상직,권오준,Gwon. Sang-Jik,Gwon. O-Jun
- ㆍ 간행물명
- 전자통신
- ㆍ 권/호정보
- 1986년|8권 4호|pp.103-109 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전자통신연구원
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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LDD(Lightly Doped Drain) 방식에 의한 MOSFET의 제조 공정 및 특성에 관하여 실험 분석하였다. MOS 소자의 채널 길이가 짧아짐에 따라 드레인 가장자리에서 자체 형성되는 높은 전계로 말미암아 애벌런치 항복 전압(avalanche breakdown voltage)이 상당히 감소 한다. 이 전압을 높여 주기 위한 기술로서 LDD 방식이 적용되었으며 종래의 제조방식에 의한 MOSFET와 비교 기술되었다.