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Langmuir-Blodgett(LB)법을 이용한 (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) 착체의 초박막 제작
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  • Langmuir-Blodgett(LB)법을 이용한 (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) 착체의 초박막 제작
  • Fabrication of Ultra thin Films with (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) Complex by Langmuir-Blodgett(LB) Technique
저자명
손병청,정순욱,손태원,강훈,강도열
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1988년|1권 4호|pp.303-310 (8 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 Langmuir-Blodgett법으로 유기초박막을 제작하기 위하여 시료인 (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) 작제를 합성하고 이를 초박막으로 제작한 다음, U.V측정, capacitance측정, 그리고 기판과 수직한 방향의 도전율등을 측정하여 막이 잘 이루어지고 있음을 확인하였다. 한편, 하부 전극을 Al로 할 경우 전극표면에 생기는 자연 산화막(Al$_{2}$O$_{3}$)의 두께는 37.1.angs.정도이었으며 기관과 수직한 방향의 도전율은 약 $10^{-14}$S/cm로 양호한 절연성이었다.