- X-band 증폭기의 결합방법에 따른 특성 비교
- ㆍ 저자명
- 조광래,윤현보,진연강
- ㆍ 간행물명
- 한국통신학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 1988년|13권 3호|pp.216-220 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국통신학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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GaAs MESFET을 사용한 12GHz저잡음 증폭기를 MIC로 설계하였다. 증폭기의 입출력 결합은 칩 캐패시터와 대칭구조의 DC블록을 포함시켜 각기 실현하였다. 실험을 통하여 칩 캐패시터를 사용하는 경우 11.8-12.1GHz에서 8-11dB의 이득을 얻었으며 DC 블록을 포함하는 경우 12.16-12.19GHz에서 16-18dB의 이득을 나타내는 비교 결과를 얻었다.
The design and performance of 12GHz low-noise amplifierwith GaAs MESFET and microstrip line are described. It contains DC blocks with symmetric line and chip capacitor, respectively. The low-noise amplifier with chip capacitor and DC block exhibits a 8-11 dB gain over 11.8-12.1 GHz and 16-18dB gain over 12.16-12.19GHz, respectively.