- 14-14.5 GHz 대역 저잡음 GaAsMESFET MIC 증폭기 설계
- ㆍ 저자명
- 이문수
- ㆍ 간행물명
- 한국통신학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 1988년|13권 4호|pp.360-368 (9 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국통신학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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$Al_2$$O_3$ 基板위에 14-14.5GHz 低雜音 MIC 增幅器를 設計하였다. COMSAT 硏究所에서 開發한 GaAsMESFET를 使用하여 設計된 增幅器는 Super-Compact 프로그램을 利用하여 利得이 7dB以上. 雜音指數는 2dB以下가 되도록 最適設計하였다. 增幅器의 利得은 7-7.7dB, 雜音指數는 3.8-4.3dB로 測定되었다.
A 14 to 14.5 GHz low noise MIC amplifier is designed on the $Al_2$$O_3$ substrate. The amplifier which uses a GaAsMESFET developed at COMSAT Laboratories has been designed and optivized to have gain greater than 7dB and noise figure less than 2dB using Super-Compact program. Experimental results show that the gain of the amplifier is 7 to 7.7 dB, while noise figure is 3.8 to 4.3dB through the desired band.