변조도핑 AIGaAs/GaAs 이종구조의 양자우물에 감금된 이차원 전자가스층의 생성과 그 농도 및 이동도의 파악은 이 구조를 이용한 소자의 성능을 평가하기 위해 필수적이다. 그리고소자제작에 앞서 이차원 전자가스층 생성여부의 확인은 에피층 성장공정과 제작공정을 분리 검증하여 소자 제작후에 나타나는 문제점을 해결하기 위한 진단 단계를 줄일 수 있다. 본 논문에서는 이차원 전자가스층의 확인방법을 개발하기 위하여 변조도핑 이종구조의 PL을 측정하여 분석하고 지금까지 보고된 자료를 분석하여 새로운 피크에 대한 기구해석과 검증방법을 마련하였다.