단결정 실리콘내에 $As^+$이온 주입에 의해 형성된 이온주입층의 특성을 ellipsometric 변수$(psi,Delta)$로 연구하였다. Ellimsometric 변수($(psi,Delta)$를 이온주입층의 두께 함수로 이론적인 ellipsometric 방정식을 이용하여 컴퓨터 시뮬레이션에 의해 spiral 곡선을 얻었으며, 이 곡선과 실제 측정된 시료의 ellipsometric 데이터는서로 잘 일치하였다. 이온주입층의 열처리 특성을 조사하기 위해 여러조건으로 급속 열처리한후, 비정질층의 재결정화 과정을 연구하였다.