광을 이용한 축소투영 노광기술은 고 NA와 단파장화에 의하여 현재 $0.5mum$의 패턴형성을 가능하게 하고 있으며, 향후 excimer laser를 이용한 stepper는 64M DRAM 제조를 위한 핵심 노광장비가 될 것이다. 본 논문에서는 광을 이용한 노광장비의 성능개선을 위하여 노광방식에 따라 장비를 분류하고 MTF, coherence 등 패턴형성에 있어서의 주요개념을 정리하였다. 그리고 광노광 장비의 성능변수인 해상도, 촛점심도, 노광영역 및 정렬에 영향을 미치는 요소를 분석한 후 그 성능에대한 개선방안을 도출하였다.