SiO$_{2}$막을 NH$_{3}$분위기에서 급속열처리 하여 nitroxide막을 생성시키고 그 전기적 특성을 조사하였다. 굴절율과 유전율은 열처리시간과 온도에 따라 증가 하였으며 IR스펙트럼분석으로 SiO$_{2}$박이 질화된 것을 확인하였다. 절연파괴내력은 대체로 SiO$_{2}$막보다 우수하였으며 .+-.BT 처리와 C-V측정의 결과 nitroxide막이 초기 산화막보다 고전계 stress에 대해 안정한 특성이 나타났다. MIS 다이오드의 1/f 잡음 특성은 C-V 측정결과와 비슷한 경향을 나타내어 1/f 잡음특성이 박막의 계면특성과 밀접한 관련성이 있음을 알 수 있었다.