Monte Carlo 모의실험에 의한 AlInAs/GaInAs 변조 도핑 구조에서의 Hot-Electron Transport에 관한 연구

Monte Carlo 모의실험에 의한 AlInAs/GaInAs 변조 도핑 구조에서의 Hot-Electron Transport에 관한 연구

ㆍ 저자명: 김충원,박성호,김경석,한백형,Kim. Choong-Won,Park. Seong-Ho,Kim. Koung-Suk,Han. Baik-Hyung
ㆍ 간행물명: 전자공학회논문지
ㆍ 권/호정보: 1990년|27권 3호|pp.79-85 (7 pages)
ㆍ 발행정보: 대한전자공학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|
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ㆍ 주제분야: 기타

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서지반출

기타언어초록

$Gamma$계곡의 nonparabolicity를 고려하여 $Al_{0.48}In_{0.52}As/Ga_{0.47}In_{0.53}As$ 변조 도핑 구조에서의 hot-electron 전송을 Monte Carlo 방법으로 연구하였다. 계산결과로부터 nonparabolicity는 2차원 전자의 속도를 크게 감소시킴을 알 수 있었다.

기타언어초록

Monte Carlo simulation of hot-electron transport in $Al_{0.48}In_{0.52}As/Ga_{0.47}In_{0.53}$ As modulation-doped structure has been performed in which the nonparabolicity in $Gamma$ valley is taken into account. The calculated results show that the inclusion of the nonparabolicty effect results in a huge decrease in drift velocity.

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