SiH$_{4}$환원에 의한 selective CVD-W 공정에서 SiH$_{4}$ 유속의 W막 특성에 대한 효과를 조사하였다. 0.7<SiH$_{4}$/SW$_{2}$(=R)<0.9에서 .betha.-W이 나타나기 시작하여 SiH$_{4}$ 유속의 증가에 따라 .betha.-W의 함량은 게속 증가한다. W막의 표면 형태도 SiH$_{4}$유속의 증가에 따라 나뭇잎 모양(R<0.5), 흐릿하고 불안정한 모양(0.7<R<0.9)을 거쳐, 타원형의 차돌모양(R=1.1)과 미세한 결정립(R=1.3)의 거친표면으로 변한다. R.leq.0.9에서는 등축, R>0.9에서는 주상의 결정립을 나타낸다. R.leq.0.7에서는 .alpha.-W만 존재하다가 0.7<R<0.9에서 .betha.-W이 나타나기 시작하여 R의 증가에 따라 .betha.-W의 함량이 게속 증가한다. SiH$_{4}$유속의 증가에 따라 증착속도와 W막의 정기저항이 증가한다. 특히, R.geq.0.9에서 전기저항이 급증한다. SiH$_{4}$유속의 증가에 따라 선택성이 악화되며 특히 1.1<R<1.3의 범위에서 선택성이 급격히 악화된다.