반도체 DI swiching 소자의 시작과 특성에 관한 실험적 고찰

반도체 DI swiching 소자의 시작과 특성에 관한 실험적 고찰
Experimental fabrication and analysis on the double injection semiconductor switching devices

ㆍ 저자명: 성만영,정세진,임경문
ㆍ 간행물명: 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
ㆍ 권/호정보: 1991년|4권 2호|pp.159-174 (16 pages)
ㆍ 발행정보: 한국전기전자재료학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

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서지반출

기타언어초록

이중주입효과에 의한 고내압 반도체 스위칭소자의 설계 제작에 촛점을 맞추어 Injection Gate구조와 MOS Gate 구조로 시료소자를 제작해 그 특성을 검토하고 Electrical Switching 및 Oxide막에서의 Breakdown현상에 의한 문제점을 해결해 보고자 Optical Gate구조를 제안하여 이 optically Gated Semiconductor Switching 소자의 동작특성을 연구하고 Injection Gate 구조를 제안하여 이 optically Gated Semiconductor Switching 소자의 동작특성을 연구하고 Injection Gate 및 MOS Gate 구조(Planar type, V-Groove type, Injection Gate mode, Optical Gate mode)로 설계제작된 소자와 특성을 비교 분석하였다.

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