반응성 마그네트론 스파트링 프로세스의 제작 및 특성과 이 프로세스에 의해 작성된 질화알미늄 박막에 대하여 서술하였다. 마그네트론에서 자계와 압력변화에 따른 글로우 방전특성을 구하였고 이 때 발생된 플라즈마의 전자온도 특성을 구하였다. 저기압($10^{-3}$~$10^{-4}$ torr)에서도 안정된 방전으로 스파트링을 수행할 수 있었으며 이 스파트링에서 제작된 조건에 따른 질화알미늄 박막의 형성조직을 SEM사진과 Xray회절에 의하여 분석하였다.