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기상성장법에 의한 산화물 고온초전도박막의 제작
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  • 기상성장법에 의한 산화물 고온초전도박막의 제작
  • Preparation of high $T_{c}$ superconducting thin films by chemical vapour deposition method
저자명
이현수,한상옥,이덕출
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1991년|4권 3호|pp.267-272 (6 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 연구는 MOCDV(Metal Organic Chemical Vapour Deposition)법을 이용한 Y-Ba-C-O계 산화물 초전도체 박막을 제작하여 박막의 조성비와 결정성, 임계온도에 대하여 측정 분석하였다. 이 박막의 조성비는 Y:Ba:Cu=1:0.97:3.39로 나타났으며 임계온도 $T_{c on}$=86K, $T_{c zero}$=61K이다. 연구 결과 우수한 초전도체 박막을 제작하기 위해 계속적인 연구가 필요하며 불순물 잔류도 고려하여야 한다.