SAW와 반도체가 상호작용할 때 발생되는 횡음전전압을 이용하여 반절연 GaAs 웨이퍼 표면의 에너지 갭, 엑시톤, 얕은 준위 트랩, 깊은 준위 트랩, 어닐링 후의 형반전, $EL_2$ 준위의 준안정 상태 그리고 Cr이 첨가된 2인치 GaAs 웨이퍼의 전자 농도 분포를 비파괴적으로 측정평가 하였다. 또한 SAW를 발진기를 이용한 반도체 표면성질의 측정을 새로이 시도하고 이의 실용성을 밝혔다.
The surface properties such as energy gap, exciton, shallow trap level, deep trap level, type inversion with annealing and metastable state of $EL_2$ level of SI GaAs wafers and the conductivity distribution of 2 inch Cr doped GaAs wafer were investigated using nondestructive TAV(transverse acoustoelectric voltage) technique. The TAV is generated when SAW and semiconductor interact. We also have tried newly SAW oscillator technique to investigate the surface properties of semiconductor wafers and we have shown the validity of this technique.
