본 연구에서는 게이트의 Schottky 접촉을 먼저 만들고 옴 접촉 공정을 그후에 하는 자기정렬 공정 (self-aligned process) 에서 다이오드의 특성 저하를 막기위하여, 내열성 금속 (refractory metal) 을 사용하여 두께와 온도에 따른 각각의 특성을 알아보았다. 내열성 금속으로는 텅스텐을 사용하였으며, 텅스텐이 게이트 금속인 Au 나 AlGaAs 에 대해 어느정도 확산에 대한 barrier의 역할을 하는 지에 대하여 알아보았다. 전류-전압 측정자료와 Auger 분석을 통하여 옴 접촉조건($480^{circ}C$)에서 텅스텐의 두께가 30nm 이하에서는 barrier 의 역활이 어려운 것으로 나타났다. 그리고 30~60 nm 사이에서 트랜지스터의 특성에 있어서 많은 변화가 있음을 알 수가 있었으며, 90 nm 이상에서는 $530^{circ}C$ 이상의 온도에서 Au에 대해 좋은 barrier 의 역활을 할 수 있는 것으로 나타났다.