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화학증착법에 의해 제조된 Sb-doped $SnO_2$ 박막의 전기적 및 광학적 특성
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  • 화학증착법에 의해 제조된 Sb-doped $SnO_2$ 박막의 전기적 및 광학적 특성
저자명
이수원,김광호
간행물명
요업학회지
권/호정보
1992년|29권 4호|pp.319-327 (9 pages)
발행정보
한국세라믹학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Sb-doped SnO2 films were formed on Corning glass 7059 substrate by chemical vapor deposition using simulataneous hydrolysis of SnCl4 and SbCl5. Fairly good transparent conducting film with a low resistivity of ~6$ imes$10-4{{{{ OMEGA }}cm and high average optical transparency above ~85% in the range of visible light was obtained at the deposition condition of 50$0^{circ}C$ and input-gas ratio, [Psbcl5/Psncl4] of 0.05. Film conductivity was improved without loosing optical transparency at light doping of Sb and found to be due to the increase of electron concentration. However, high doping of Sb into SnO2 film largely deteriorated conductivity, optical transparency and crystallinity of the film.