- 질소이온 주입에 의한 Al의 재결정화 및 AlN의 형성에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 조성진,최점수
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1992년|1권 2호|pp.298-301 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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진공증착된 Al 다결정 박막에 질소이온을 25keV-50keV, 1 $ imes$ 1014-2 $ imes$ 1017ions/cm2로 주입하여 박막의 결정구조와 nitride의 형성을 TEM으로 측정하였다. N+2이 온을 에너지 25keV, dose 1 $ imes$ 1014ions/cm2로 주입하면 fcc 구조의 Al 결정이 관찰되며, 40keV 이상의 에너지로 2 $ imes$ 1017ions/cm2이상 주입하면 AlN이 형성됨을 확인하였다.