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HCD플라즈마를 이용한 반응성 이온플레이팅법에 의한 TiN 코팅
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  • HCD플라즈마를 이용한 반응성 이온플레이팅법에 의한 TiN 코팅
저자명
서용운,황기웅
간행물명
한국표면공학회지
권/호정보
1992년|25권 3호|pp.133-143 (11 pages)
발행정보
한국표면공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Titanium nitride(TiN) films have been prepared by HCD plasma enhanced reactive ion plating. Density and temperature of the plasma generated by the HCD were investigated. It was shown that parameters such as the substrate bias voltage(0 350V) and N2 flow rate(10 180SCCM) influenced the growth, the growth, the microstructure and the color tone of the film mostly. In order to study the interface region, surface analysis by AES combined with sputter depth profiling was performed. Microhardness of the coated TiN films were measured by micro Vickers hardness tester. Also, the effect of coating parameters on composition, coating surface and fracture morphology, grain size and growth rate were examined.