비휘발성 EEPROM을 위한 SNOSFET 단위 셀의 어레이에 관한 연구

비휘발성 EEPROM을 위한 SNOSFET 단위 셀의 어레이에 관한 연구
A study on the array of SNOSFET unit cells for the novolatile EEPROM

ㆍ 저자명: 강창수,이형옥,이상배,서광열
ㆍ 간행물명: 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
ㆍ 권/호정보: 1993년|6권 1호|pp.28-33 (6 pages)
ㆍ 발행정보: 한국전기전자재료학회
ㆍ 파일정보: 정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야: 기타

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서지반출

기타언어초록

Short channel 비휘발성 SNOSFET EEPROM 기억소자를 CMOS 1 Mbit 설계규칙에 따라 제작하고 특성과 응용을 조사하였다. 논리 어레이를 실현하기 위한 SNOSFET는 4단자와 2단자 비휘발성 메모리 셀로 구성하고 이에 대한 기록과 소거 특성을 조사하였다. 결과적으로 4단자 소자와 2단자 소자의 메모리 윈도우는 각각 기록과 소거에 의하여 "1"상태와 "0"상태로 동작되는 저전도 상태와 거전도 상태를 나타냈다. 4단자 2 x 2 메트릭스 어레이는 양극성으로 동작하였으며 2단자 2 x 2 메트릭스 어레이는 단극성으로 동작하였다.릭스 어레이는 단극성으로 동작하였다.

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