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InGaAs/InP 송명 터널다이오드의 제작과 전기적 특성
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  • InGaAs/InP 송명 터널다이오드의 제작과 전기적 특성
  • Fabrication and electrical properties of InGaAs/InP reaonant tunneling diode
저자명
유병수,이우선
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1993년|6권 4호|pp.324-328 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문에서는 전자파 디바이스의 고속화를 위해서 OMVPE를 이용하여 InGaAs/InP공명 터널 다이오드를 제작하고 전기적특성을 연구하였다. 공명 터널 다이오드의 전압-전류특성, 장벽폭에 따른 P/V비와 RTD의 양자 우물 효과가 연구되었는데 P/V비는 장벽폭이 증가함에 따라서 지수함수적인 감소를 보였다.