- Hot-Wall Evaporation Technique으로 성장된 CdS 박막의 광전도 셀 특성
- ㆍ 저자명
- 신영진,정태수,신현길,김택성,정철훈,이훈,신영신,유기수
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1993년|2권 1호|pp.73-77 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
Hot-wall evaporation technique으로 세라믹 기판 위에 CdS 박막을 성장하였다. 이 때 증발원과 기판의 온도는 각각 570, 40$0^{circ}C$이고 두께는 3$mu extrm{m}$이었다. 공기 중에서 열처리하여 감도(${gamma}$), 광전류와 암전류의 비(pc/dc), 최대허용소비전력(MAPD), spectral response 및 응답시간 등을 측정하였다. $550^{circ}C$, 30분간 열처리한 경우 가장 좋은 광전도 특성을 얻었으며 ${gamma}$=0.89, pc/cd~104, MAPD: 492mW, rise time이 100ms, decay time이 260ms이었다.