Si(111)7 $ imes$ 7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 와 XPS(X-ray PhotoelectronSpectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT ~20$0^{circ}C$까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는 (7$ imes$7)에서 diffused (1$ imes$1) 그리고 (2 3 3 $ imes$2√3√3-R30$^{circ}$) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1$ imes$1), three domain(3$ imes$1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히 , $450^{circ}C$의 기판온도에서는 single domain (3$ imes$1) 구조를 최초로 관측하였다. 이렇게 형성된 각 구조에 대한 Mg KLL과 Si2p의 XPS peak intensity ratio를 증착량의 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 성장에 대한 메카니즘을 제시하였다.