자외선-광전자-분광법(UPS)를 이용하여 저온(40K)으로 유지된 Si(111)-7${ imes}$7 표면에 산소를 노출시킨 후 잰 평균 일함수가 제논-흡착-광전자 분광법(PAX)을 이용하여 잰 동일 표면의 변화된 부분의 국부 일함수보다 약 0.4V 가량 높은 것을 발견하였다. 이는 Si(111)-7${ imes}$7 표면의 초기 산화 단계에서 커다란 일함수 변화를 유도하는 요인은 표면에 분자상태로 흡착된 산소임을 시사한다. 또한 Xe 3d 및 5p 에너지 밀도곡선들의 이동으로부터 변화된 부분의 일함수가 변화되지 않은 부분의 일함수보다 0.6eV 높은 것을 알 수 있었다.
In the initial stages of oxidation of Si(111)-7${ imes}$7 held at 40K through exposing molecular oxygen, it has been detected average work-function measured by ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) is about 0.4eV higher than the local work-function of the modified area measured by photoemission for adsorbed Xenon (PAX). This result indicates that the increment of work-function at the initial oxidation stages of Si(111)-7${ imes}$7 is mainly due to the moleculary adsorbed oxygen. From the shift of broadened Xe 5p and Xe 3d, it has also been estimated that the work-function of the modified area is 0.6eV higher than that of the clean area.
