- $CuInS_{2}$ 박막의 구조 및 전기적 특성
- ㆍ 저자명
- 김성구,박계춘,류용택,Kim. Seong-Ku,Park. Gye-Choon,Yoo. Yong-Tek
- ㆍ 간행물명
- 센서학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1994년|3권 1호|pp.78-82 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국센서학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Single-phase $CuInS_{2}$ 박막을 제작하고 열처리에 따른 특성을 분석하였다. 박막제작은 S, In 및 Cu를 차례로 적층시킨 다음 질소분위기에서 열처리를 하여 Chalcopyrite 구조인 $CuInS_{2}$ 박막으로 전환시켰다. 제작된 박막은 p-형이었고 저항률은$0.03{sim}0.007{Omega}cm$였으며, Hall 이동도는 $0.07{sim}0.1cm^{2}V^{-1}S^{-1}$ 그리고 Hall 농도는 $10^{20-21}cm^{-3}$이었다.
Single-phase $CuInS_{2}$ thin film were prepared by E-beam deposition and the effects of its annealing were investigated. The S/In/Cu was stacked from S, In and Cu by EBE method and then, In the nitrogen atmosphere, the stacked layer were annealed to convert chalcopyrite $CuInS_{2}$ thin films. and that result we obtained p-type Chalcopyrite $CuInS_{2}$ thin films, Its resistivity was $0.03{sim}0.007{Omega}cm$, Hall mobility was $0.07{sim}0.1cm^{2}V^{-1}S^{-1}$ and Hall concentration was $10^{20-21}cm^{-3}$, respectively.