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졸-겔법으로 백금 기판위에 제조된 PLZT 박막의 구조적, 전기적 특성변화
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  • 졸-겔법으로 백금 기판위에 제조된 PLZT 박막의 구조적, 전기적 특성변화
저자명
오영제,김태송,정형진
간행물명
요업학회지
권/호정보
1994년|31권 2호|pp.171-176 (6 pages)
발행정보
한국세라믹학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The spin-casted PLZT(9/65/35) thin films through polymeric sol-gel process were prepared on Pt substrate. The crack-free, uniform and dense films were obtained by post-annealing at the temperature between 35$0^{circ}C$ and $700^{circ}C$. The composite structure mixed together with large grains called "rosette" and surrounding small grains were observed on the films annealed over $600^{circ}C$. Pyrochlore phase was completely changed to perovskite phase above $600^{circ}C$ with the increase of annealing temperature. Dielectric constant (k) was larger with the increase of film thickness and annealing temperature. from the measurements of dielectric constant as a function of measuring temperature, it was also observed that Curie temperature was shifted to higher temperature with the increase of film thickness and annealing temperature. The pyroelectric coefficient(P) of 10 times coated film annealed at $700^{circ}C$ was 65 $mu$C/$ extrm{cm}^2$.K.$</TEX>.K.