Low Energy Electron Diffraction(LEED)와 Synchrotron Radiation Photoelectron Spe-ctroscopy (SRPES)를 이용하여 $Si(111)7{ imes}7$ 표면위에 Mg의 흡착에 의한 초기계면과 실리사이드의 형성에 대하여 연구하였다. 기판온도를 상온으로 유지하는 경우 증착량의 증가에 따라 LEED pattern은 diffuse 7${ imes}$7 diffuse 1${ imes}$1, $2/3sqrt{3}{ imes}2/3sqrt{3} R30^{cdot}$ 구조로 변화하였다. $300^{cdot}C$의 기판온도에서 관측되는 1${ imes}$1 구조에 대한 surface sensitive Si 2p core level spectrum의 fitting 결과로부터 이 1${ imes}$1구조는 적층성장한 Mg2Si 박막에 의한 구조임을 알수 있다. 그러나 이 1${ imes}$1구조를 가진 Mg2Si 박막이 성장하지 못함을 예상할 수 있다. 그결과 Mg의 계속된 증착에도 불구하고 비정질의 Mgqkr막이 성장하였다.