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반도체 메모리의 테스트를 위한 MTA(Memory TestAble code)코드
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  • 반도체 메모리의 테스트를 위한 MTA(Memory TestAble code)코드
저자명
이중호,조상복
간행물명
電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A
권/호정보
1994년|8호|pp.111-121 (11 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

This paper proposes a memory testable code called MTA(Memory TestAble) code which is based on error correcting code technique for testing functional faults in semiconductor memories. The characteristics of this code are analyzed and compared with those of conventional codes. The developed decoding technique for this code can reduce the decoder circuits up to 70% and obtain two-times faster decoding speed than other codes such as hamming code or Hsiao code. The MTA code is eccectively applicable to parallel testing of semiconductor memories because it has the same information length and parity length. It can detect from single error functional faults to triple error in semiconductor memories.